Nhập từ khoá: Số Hiệu, Tiêu đề hoặc Nội dung ngắn gọn của Văn Bản...

Tiêu chuẩn ngành TCN 68-234:2006 về thiết bị vi ba số SDH điểm – Điểm dải tần tới 25 GHz – Yêu cầu kỹ thuật do Bộ Bưu chính Viễn thông ban hành

Thuộc tính Tiêu chuẩn ngành TCN 68-234:2006 về thiết bị vi ba số SDH điểm – Điểm dải tần tới 25 GHz – Yêu cầu kỹ thuật do Bộ Bưu chính Viễn thông ban hành

Số hiệu:	TCN68-234:2006	Loại văn bản:	Tiêu chuẩn ngành
Cơ quan ban hành:	Bộ Bưu chính Viễn thông	Ngày ban hành:	25/07/2006
Người ký:	Đã xác định	Ngày có hiệu lực:	01/01/1970
Tình trạng hiệu lực:	Còn hiệu lực

Tóm tắt văn bản

“rnrnrnrnrnrn

rnrn

TCN 68 – 234:rn2006

rnrn

THIẾTrnBỊ VI BA SỐ SDH ĐIỂM – ĐIỂM DẢI TẦN TỚI 15 GHz

rnrn

YÊUrnCẦU KỸ THUẬT

rnrn

POINT-TO-POINT SDHrnRADIO EQUIPMENTS OPERATING IN THE FREQUENCY BANDS UP TO 15 GHZ

rnrn

TECHNICALrnREQUIREMENTS

rnrn

MỤC LỤC

rnrn

Lời nói đầu

rnrn

1. Phạm vi áp dụng

rnrn

2. Tài liệu tham chiếu chuẩn

rnrn

3. Các định nghĩa, ký hiệu và chữ viết tắt

rnrn

3.1 Định nghĩa

rnrn

3.2 Các ký hiệu

rnrn

3.3 Chữ viết tắt

rnrn

4. Đặc tính kỹ thuật chung

rnrn

4.1 Điều kiện môi trường và phương pháp đornkiểm

rnrn

4.2 Băng tần và phân kênh

rnrn

4.3 Sơ đồ khối hệ thống

rnrn

5. Đặc tính kỹ thuật của máy phát

rnrn

5.1 Dung sai tần số vô tuyến

rnrn

5.2 Dải công suất phát

rnrn

5.3 Mặt nạ phổ RF, đặc tính CW rời rạc vàrnRTPC

rnrn

5.4 Phát xạ giả

rnrn

5.5 ATPC và RFC

rnrn

6. Yêu cầu về định hướng ăng ten

rnrn

6.1 Đường bao mẫu bức xạ (RPE)

rnrn

6.2 Tăng ích ăng ten

rnrn

6.3 Phân biệt cực chéo của ăng ten (XPD)

rnrn

7. Đặc tính kỹ thuật của máy thu

rnrn

7.1 BER là hàm của mức vào máy thu (RSL)

rnrn

7.2 Độ nhạy cảm nhiễu đồng kênh bên ngoài

rnrn

7.3 Độ nhạy cảm nhiễu kênh lân cận

rnrn

7.4 Nhiễu giả CW

rnrn

7.5 Phát xạ giả

rnrn

Phụ lục A (Tham khảo): Thông tin bổ sung

rnrn

Phụ lục B (Tham khảo): Độ nhạy cảm méo đối vớirncác máy thu phân tập

rnrn

Phụ lục C (Quy định): Yêu cầu tương thích giữarncác hệ thống

rnrn

Phụ lục D (Tham khảo): Yêu cầu về chỉ tiêu vàrntính khả dụng

rnrn

Phụ lục E (Quy định): Điều kiện môi trường

rnrn

Phụ lục F (Tham khảo): Nguồn cung cấp

rnrn

Phụ lục G (Quy định): Tương thích điện từ

rnrn

Phụ lục H (Tham khảo): Giao diện mạng quản lýrnviễn thông (TMN)

rnrn

Phụ lục K (Quy định): Băng tần và phân kênh

rnrn

Phụ lục L (Quy định): Bảng tóm tắt các yêu cầurnkỹ thuật

rnrn

Tài liệu tham khảo

rnrn

LỜI NÓI ĐẦU

rnrn

Tiêu chuẩn Ngành TCN 68 – 234: 2006 “Thiếtrnbị vi ba số SDH điểm – điểm dải tần tới 15 GHz – Yêu cầu kỹ thuật” được xâyrndựng trên cơ sở chấp thuận áp dụng yêu cầu kỹ thuật của các tiêu chuẩn EN 301rn751 V1.2.1 (2002-11); EN 300 234 V1.3.2 (2001-11); EN 301 277 V1.2.1 (2001-02);rnEN 301 126-1 V1.1.2 (1999-09); EN 300 833 V1.4.1 (2002-11) của Viện Tiêu chuẩnrnViễn thông châu Âu (ETSI).

rnrn

Tiêu chuẩn Ngành TCN 68 – 234: 2006 do ViệnrnKhoa học Kỹ thuật Bưu điện (RIPT) biên soạn theo đề nghị của Vụ Khoa học – Côngrnnghệ và được ban hành kèm theo Quyết định số 27/2006/QĐ-BBCVT ngày 25 tháng 7rnnăm 2006 của Bộ trưởng Bộ Bưu chính, Viễn thông.

rnrn

Tiêu chuẩn Ngành TCN 68 – 234: 2006 được banrnhành dưới dạng song ngữ (tiếng Việt và tiếng Anh). Trong trường hợp có tranhrnchấp về cách hiểu do biên dịch, bản tiếng Việt được áp dụng.

rnrn

THIẾT BỊ VI BA SỐ SDHrnĐIỂM – ĐIỂM DẢI TẦN TỚI 15 GHz

rnrn

YÊU CẦU KỸ THUẬT

rnrn

(Ban hành kèm theornQuyết định số 27/2006/QĐ-BBCVT ngày 25/7/2006 của Bộ trưởng Bộ Bưu chính, ViễnrnThông)

rnrn

1. Phạm vi áp dụng

rnrn

Tiêu chuẩn này bao gồm các yêu cầu kỹ thuậtrnthiết yếu và phương pháp đo kiểm đối với thiết bị vi ba số SDH điểm – điểm córntốc độ truyền dẫn STM-1 và 4xSTM-1 (STM-4) ở các băng tần nhỏ hơn hoặc bằng 15rnGHz.

rnrn

Tiêu chuẩn này được sử dụng làm cơ sở chornviệc chứng nhận hợp chuẩn thiết bị.

rnrn

2. Tài liệu thamrnchiếu chuẩn

rnrn

[1] ETSI EN 301 751 (V1.2.1) (2002-11):rn"Fixed Radio Systems; Conformance testing; Part 1: Point-to-Pointrnequipment – Definitions, general requirements and test procedures".

rnrn

[2] ETSI EN 301 277 (V1.2.1) (2001-02): "FixedrnRadio Systems; Point-to-point equipment; High capacity digital radio systemsrntransmitting STM-4 or 4 x STM-1 in a 40 MHz radio frequency channel usingrnCo-Channel Dual Polarized (CCDP) operation".

rnrn

[3] ETSI EN 300 234 (V1.3.2) (2001-11): "FixedrnRadio Systems; Point-to-point equipment; High capacity digital radio systemsrncarrying 1 x STM-1 signals and operating in frequency bands with about 30 MHzrnchannel spacing and alternated arrangements".

rnrn

[4] ETSI EN 301 126-1 (V1.1.2) (1999-09): "FixedrnRadio Systems; Conformance testing; Part 1: Point-to-Point equipment – Definitions,rngeneral requirements and test procedures".

rnrn

[5] ETSI EN 300 833 (V1.4.1) (2002-11): "FixedrnRadio Systems; Point-to-point antennas; antennas for point-to-point fixed radiornsystems operating in the frequency band 3 GHz to 60 GHz".

rnrn

3. Định nghĩa, kýrnhiệu và chữ viết tắt

rnrn

3.1 Định nghĩa

rnrn

Băng tần vô tuyến được phân bổ: Việc phân bổ (băngrntần) trong bảng phân bổ tần số của một băng tần cho trước để sử dụng cho mộtrnhoặc nhiều dịch vụ thông tin vô tuyến mặt đất hoặc không gian, hoặc dịch vụ thiênrnvăn vô tuyến trong những điều kiện xác định.

rnrn

Chú thích: Thuật ngữ này cũng được áp dụng chornbăng tần liên quan (theo Thể lệ Vô tuyến điện, Giơ-ne-vơ 2001, điều khoảnrnS1.16).

rnrn

Điều khiển công suất phát tự động (ATPC): Chức năng điều khiểnrncông suất động để phát công suất cực đại chỉ trong trường hợp có tác động củarnpha đinh sâu; bằng cách đó giảm được nhiễu trong hầu hết thời gian và máy phátrnlàm việc ở chế độ tuyến tính cao hơn.

rnrn

Chú thích: Khi chức năng này được sử dụng, côngrnsuất máy phát được thay đổi linh hoạt bởi máy thu đầu xa và theo điều kiệnrntruyền dẫn. Về nguyên lý, khi sử dụng ATPC, có thể xác định được 3 mức côngrnsuất khác nhau:

rnrn

– Công suất khả dụng cực đại (chỉ phát trongrnđiều kiện có pha đinh sâu).

rnrn

– Công suất danh định cực đại (có thể sử dụngrnthường xuyên khi ATPC bị ngắt). Cần lưu ý đây là công suất “danh định của thiếtrnbị” và không nên nhầm lẫn với “mức danh định thiết lập theo từng chặng” do cơrnquan phối hợp tần số thiết lập, cuối cùng thu được thông qua các bộ suy hao RFrnthụ động hoặc chức năng RTPC.

rnrn

– Mức công suất danh định cực đại và côngrnsuất khả dụng cực đại có thể bằng nhau, hoặc trong trường hợp điều chế nhiềurntrạng thái, công suất khả dụng cực đại có thể được sử dụng để tăng công suấtrnphát (mất tuyến tính nhưng tăng độ dự phòng pha đinh nếu các điều kiện pha đinhrngây giảm RBER mong muốn). Các dự báo chỉ tiêu thường được thực hiện với “côngrnsuất khả dụng” lớn nhất.

rnrn

– Công suất cực tiểu (được sử dụng trong điềurnkiện không có pha đinh).

rnrn

Điều kiện môi trường: Phạm vi điều kiệnrnmôi trường mà thiết bị thuộc phạm vi của tiêu chuẩn này buộc phải tuân thủ.

rnrn

Công suất khả dụng cực đại: Xem “Điều khiển côngrnsuất phát tự động (ATPC)”.

rnrn

Công suất danh định cực đại: Xem “Điều khiển côngrnsuất phát tự động (ATPC)”.

rnrn

Kênh tần số vô tuyến: một phần băng tần vôrntuyến, trong băng tần đó thiết lập được phân kênh tần số, dành cho một đườngrntruyền vô tuyến cố định.

rnrn

Phân kênh tần số vô tuyến: Xác định trước cácrntần số trung tâm cho một số kênh tần số vô tuyến, theo Khuyến nghị ITU-R F.746,rnđể sử dụng phù hợp trong cùng một vùng địa lý.

rnrn

Điều khiển tần số từ xa (RFC): Nhiều hệ thống vôrntuyến số cố định cung cấp chức năng này để cải thiện chất lượng hệ thống. Khirnchức năng này được sử dụng, tần số/kênh trung tâm phát có thể được thiết lậprnhoặc bởi thiết bị điều khiển tại chỗ nối với thiết bị điều khiển hệ thống hoặcrnbởi một thiết bị đầu cuối quản lý mạng từ xa. Biến thiên tần số là không đổi vàrnthường được thực hiện khi kích hoạt hoặc khởi động lại các tuyến kết nối để dễrndàng đạt được tần số đó cấp phép được ấn định bởi cơ quan phối hợp tần số đốirnvới nhà khai thác mạng cho tuyến kết nối đó, nhằm kiểm soát nhiễu của mạngrntrong cùng một vùng địa lý.

rnrn

Điều khiển công suất phát từ xa (RTPC): Nhiều hệ thống vôrntuyến số cố định cung cấp chức năng này để cải thiện chất lượng hệ thống. Khirnchức năng này được sử dụng, công suất phát có thể được thiết lập hoặc bởi thiếtrnbị điều khiển tại chỗ nối với thiết bị điều khiển hệ thống hoặc bởi một thiếtrnbị đầu cuối quản lý mạng từ xa. Biến thiên công suất là không đổi và thườngrnđược thực hiện khi kích hoạt hoặc khởi động lại các tuyến kết nối để dễ dàng đạtrnđược EIRP theo yêu cầu của cơ quan phối hợp tần số cho tuyến kết nối đó, nhằmrnkiểm soát nhiễu đồng kênh và kênh lân cận trong cùng một vùng địa lý. Về nguyênrntắc, chức năng này tương đương với yêu cầu về khả năng điều chỉnh công suất (vírndụ: dùng suy hao cố định) thường được yêu cầu trong các hệ thống cố định.

rnrn

3.2 Ký hiệu

rnrn

decibel

dBc

decibel tương ứng với công suất sóng mangrn trung bình

dBm

decibel tương ứng với 1 mW

ppm

phần triệu

rnrn

3.3 Chữ viết tắt

rnrn

ATPC

Điều khiển công suất phát tự động

BBER

Tỷ số lỗi khối nền

BER

Tỷ số lỗi bit

Bwe

Độ rộng băng ước lượng (độ rộng băng phânrn giải dùng để đo các thành phần phổ)

C/I

Tỷ số sóng mang trên nhiễu

CCDP

Đồng kênh phân cực kép

CMI

Biến đổi dấu mã

CSmin

Khoảng cách kênh thực tế nhỏ nhất (đối vớirn việc phân kênh tần số vô tuyến cho trước)

Sóng mang liên tục

Dòng một chiều

DFRS

Hệ thống chuyển tiếp số cố định

DRRS

Hệ thống vô tuyến chuyển tiếp số

EIRP

Công suất bức xạ đẳng hướng tương đương

EMC

Tương thích điện từ trường

ERC

Ủy ban Thông tin Vô tuyến châu Âu

ESR

Tỷ số giây lỗi

FWA

Truy nhập vô tuyến cố định

Phần cứng

IEC

Ủy ban Kỹ thuật điện Quốc tế

Trung tần

IPI

Phân tách các cổng

ITU-R

Liên minh Viễn thông Quốc tế – Bộ phận tiêurn chuẩn hóa về Vô tuyến

ITU-T

Liên minh Viễn thông Quốc tế – Bộ phận tiêurn chuẩn hóa về Viễn thông

Dao động nội

Điện áp thấp

Băng tần 6 GHz dưới

NFD

Độ phân biệt bộ lọc mạng

PDH

Phân cấp số cận đồng bộ

PRBS

Chuỗi bit nhị phân giả ngẫu nhiên

QAM

Điều chế biên độ cầu phương

P-P

Điểm – điểm

R&TTE

Thiết bị đầu cuối Vô tuyến và Viễn thông

RBER

Tỷ số lỗi bit dư

Tần số vô tuyến

RFC

Điều khiển tần số từ xa

RFCOH

Phần mào đầu bổ sung của khung vô tuyến

RSL

Mức tín hiệu vào của máy thu

RTPC

Điều khiển công suất phát từ xa

Máy thu

SDH

Phân cấp số đồng bộ

SOH

Phần mào đầu

STM-1

Mô đun truyền đồng bộ mức 1 (155,52 Mbit/s)

STM-4

Mô đun truyền đồng bộ mức 4 (622 Mbit/s)

STM-N

Mô đun truyền đồng bộ mức N

TMN

Mạng quản lý Viễn thông

Máy phát

TCAM

Ủy ban các vấn đề về đánh giá sự phù hợprn trong lĩnh vực viễn thông

Băng tần 6 GHz trên

XIF

Hệ số cải thiện phân cực chéo nhờ bộ triệtrn nhiễu cực chéo

XPD

Phân cực chéo

XPI

Nhiễu cực chéo

XPIC

Bộ triệt nhiễu cực chéo

rnrn

4. Đặc tính kỹ thuậtrnchung

rnrn

4.1 Điều kiện môi trường và phương pháp đornkiểm

rnrn

Tiêu chuẩn này đưa ra các yêu cầu kỹ thuậtrncho thiết bị hoạt động trong điều kiện môi trường do nhà sản xuất công bố.

rnrn

Các loại môi trường hoạt động của thiết bịrnđược đưa ra trong Phụ lục E.

rnrn

Tại mọi thời điểm, khi hoạt động trong giớirnhạn biên của môi trường hoạt động đó công bố, thiết bị phải tuân thủ mọi yêurncầu kỹ thuật của tiêu chuẩn này.

rnrn

4.2 Băng tần và phân kênh

rnrn

Thiết bị phải hoạt động trong một hoặc nhiềurnkênh quy định dưới đây.

rnrn

4.2.1 Đối với hệ thống STM-1

rnrn

4 GHz, L6 GHz, 7 GHz, 8 GHz, 13 GHz và 15rnGHz.

rnrn

4.2.2 Đối với hệ thống 4xSTM-1 hoặc STM-4

rnrn

4 GHz, 5 GHz, U6 GHz, 11 GHz.

rnrn

Băng tần và phân kênh được mô tả chi tiếtrntrong Phụ lục K.

rnrn

4.3 Sơ đồ khối hệ thống

rnrn

4.3.1 Đối với hệ thống STM-1

rnrn

Chú thích 1: Để xác định các điểm đo, trongrnmạng phân nhánh không có các bộ lai ghép (hybrid).

rnrn

Chú thích 2: Kết nối tại RF, IF hoặc băng gốc

rnrn

Chú thích 3: Các điểm chỉ ra ở trên chỉ làrncác điểm tham chiếu, các điểm C và C’, D và D’ nhìn chung là đồng nhất

rnrn

Chú thích 4: Các điểm B và C, B’ và C’ có thểrnđồng nhất khi sử dụng bộ ghép song công đơn giản.

rnrn

Hình 4.1. Sơ đồ khốirnhệ thống STM-1

rnrn

4.3.2 Đối với hệ thống 4xSTM-1 hoặc STM-4

rnrn

Chú thích: Giao diện STM-4 hoặc 4xSTM-1 đượcrnsử dụng tại điểm Z và Z’.

rnrn

(*): Không có các bộ lọc

rnrn

(**): Kết nối tại RF, IF hoặc băng gốc

rnrn

Hình 4.2: Sơ đồ khốirnhệ thống 4xSTM-1 hoặc STM-4

rnrn

5. Đặc tính kỹ thuậtrncủa máy phát

rnrn

Các đặc tính kỹ thuật của máy phát phải phùrnhợp với những tín hiệu băng gốc tương ứng áp dụng tại điểm tham chiếu Z’ trongrnsơ đồ khối.

rnrn

5.1 Dung sai tần số vô tuyến

rnrn

5.1.1 Đối với hệ thống STM-1

rnrn

Đối với tất cả các dải tần xem xét, dung sairntần số vô tuyến cực đại không được vượt quá:

rnrn

±30 ppm khi hoạt động trong môi trường loạirn3.1 và 3.2;

rnrn

±50 ppm hoặc ±400 kHz (chọn mức nghiêm ngặtrnhơn), khi hoạt động trong các môi trường loại khác.

rnrn

Giới hạn này bao gồm cả các nhân tố ngắn hạnrn(hiệu ứng môi trường) và dài hạn (lão hóa).

rnrn

Chú thích: Loại 3.1: những khu vực điều khiểnrnđược nhiệt độ.

rnrn

Loại 3.2: những khu vực điều khiển được mộtrnphần nhiệt độ.

rnrn

(Xem Phụ lục E).

rnrn

5.1.2 Đối với hệ thống 4xSTM-1 hoặc STM-4

rnrn

Dung sai tần số vô tuyến không được vượt quárn±20 ppm. Giới hạn này bao gồm cả các nhân tố ngắn hạn (hiệu ứng môi trường) vàrndài hạn (lão hóa). Để đo kiểm, nhà sản xuất phải đảm bảo nhân tố ngắn hạn vàrnkhẳng định phần (thời gian) lão hóa.

rnrn

5.1.3 Phương pháp đo

rnrn

Mục đích

rnrn

Thẩm tra tần số ra Tx có nằm trong các giớirnhạn đó được quy định trong tiêu chuẩn liên quan hay không. Khi các máy phátrnkhông thể đặt trong điều kiện CW thì nhà sản xuất phải thỏa thuận với phòng thírnnghiệm được công nhận về phương pháp đo kiểm độ chính xác tần số. Phương pháprnthích hợp là sử dụng máy đếm tần số có khả năng đo được tần số trung tâm củarntín hiệu điều chế. Khi không có kiểu máy đếm này thì phải đo tần số LO và tínhrntần số ra theo công thức thích hợp.

rnrn

Trên thực tế, các phép đo độ chính xác tần sốrnđược thực hiện tại kênh thấp nhất, kênh trung gian và kênh cao nhất của khốirnđang thẩm tra.

rnrn

Thiết bị đo

rnrn

Bộ đếm tần số.

rnrn

Cấu hình đo

rnrn

Hình 5.1: Cấu hình đorndung sai tần số vô tuyến

rnrn

Thủ tục đo

rnrn

Đặt Tx hoạt động ở điều kiện CW, các phép đorntần số được thực hiện trên kênh do đơn vị đo kiểm lựa chọn trước. Tần số đornđược phải nằm trong khoảng dung sai công bố trong tiêu chuẩn liên quan.

rnrn

5.2 Dải công suất phát

rnrn

5.2.1 Đối với hệ thống STM-1

rnrn

Công suất ra trung bình cực đại của máy phátrntại điểm tham chiếu C’ trong sơ đồ khối hệ thống (Hình 4.1) không được vượt quárn+38 dBm (bao gồm cả dung sai và ảnh hưởng của ATPC/RTPC, nếu áp dụng).

rnrn

Có bốn loại công suất ra danh định được xácrnđịnh trong bảng 5.1.

rnrn

Bảng 5.1: Dải côngrnsuất ra danh định của hệ thống STM-1

rnrn

Loại A

< +26 dBm

Loại B

≥ +26 dBm

< +31 dBm

Loại C

≥ +29 dBm

< +34 dBm

Loại D

≥ +34 dBm

rnrn

Chú thích 1: Trong phép đo hợprnchuẩn, nhà sản xuất sẽ công bố ATPC là đặc tính tùy chọn hay cố định.

rnrn

Chú thích 2: Sự thay đổi côngrnnghệ có thể dẫn đến công suất của thiết bị nằm ngoài (các) dải công suất chorntrong bảng 5.1. Trong trường hợp này, không cần yêu cầu chứng nhận hợp chuẩnrnriêng đối với các thiết bị có các dải công suất ra phụ khác nhau.

rnrn

Khả năng điều chỉnh mức công suất ra có thểrnđược yêu cầu để phục vụ các mục tiêu quản lý. Trong trường hợp này dải điềurnchỉnh, bởi bộ suy hao cố định hoặc tự động, phải theo từng bước bằng hoặc nhỏrnhơn 5 dB.

rnrn

5.2.2 Đối với hệ thống 4xSTM-1 hoặc STM-4

rnrn

Giá trị công suất ra danh định tham chiếu tạirnđiểm B’ phải thuộc một trong các dải công suất chỉ ra trong bảng 5.2 (không baorngồm ATPC).

rnrn

Bảng 5.2: Dải côngrnsuất ra danh định của hệ thống 4xSTM-1 hoặc STM-4

rnrn

Loại A

+26 dBm

+31 dBm

Loại B

+31 dBm

+36 dBm

Loại C

+36 dBm

+41 dBm

rnrn

Dung sai của giá trị danh định phải nhỏ hơnrnhoặc bằng ±1 dB.

rnrn

Nhà sản xuất phải công bố giá trị danh địnhrncực đại.

rnrn

5.2.3 Phương pháp đo

rnrn

Mục đích

rnrn

Thẩm tra công suất trung bình ra cực đại đorntại điểm tham chiếu B’ hoặc C’ nằm trong giá trị công bố của nhà sản xuấtrncộng/trừ dung sai chuẩn hay không.

rnrn

Thiết bị đo

rnrn

1) Máy đo công suất;

rnrn

2) Bộ cảm biến công suất.

rnrn

Cấu hình đo

rnrn

Hình 5.2: Cấu hình đorndải công suất phát

rnrn

Thủ tục đo

rnrn

Đặt công suất của máy phát ở mức cực đại, đorncông suất ra trung bình của máy phát tại điểm B’(C’). Lưu ý tới các suy haorngiữa điểm đo và máy đo công suất.

rnrn

5.3 Mặt nạ phổ RF, đặc tính CW rời rạc vàrnRTPC

rnrn

5.3.1 Mặt nạ phổ RF

rnrn

5.3.1.1 Đối với hệ thống STM-1

rnrn

Phụ lục C đưa ra các yêu cầu tương thích. Yêurncầu tương thích cung cấp các lựa chọn đối với các hệ thống phân nhánh RF đơnrnkênh và đa kênh. Khi xem xét các yêu cầu tương thích trong Phụ lục C.2 và C.3,rnmặt nạ phổ RF phải tính đến ảnh hưởng của hệ thống hoạt động tương tác khi lựarnchọn kênh chuẩn (normal) hoặc kênh phía trong cùng (xem phần sau). Mặt nạ phổrnđược định nghĩa trong các hình 5.3, 5.4 và 5.5 đối với các ứng dụng trong Phụrnlục C như sau:

rnrn

– Giới hạn của mặt nạ phổ trong hình 5.6 vàrn5.7 áp dụng cho hệ thống không tuân theo bất kỳ yêu cầu tương thích nào trongrnPhụ lục C.

rnrn

– Giới hạn của mặt nạ phổ trong hình 5.3, 5.4rnvà 5.5 áp dụng cho hệ thống kênh chuẩn và kênh phía trong cùng tuân theo yêurncầu tương thích trong Phụ lục C.2. Các giới hạn được đánh dấu (a) trong hìnhrn5.3, 5.4 và 5.5 phải được thẩm tra trực tiếp bằng phép đo. Do không thể đo đượcrntrực tiếp các mức suy hao tới 105 dB nên nhà cung cấp phải công bố các giá trị mậtrnđộ phổ công suất tương đối nhỏ hơn -65 dB trong các hình 5.3, 5.4 và 5.5 (đườngrncong b).

rnrn

Chú thích: Các giá trị này có thể được đánh giá bằngrncách thêm vào đặc tính bộ lọc đo phổ tại điểm A’ trong hình 5.3, 5.4 và 5.5. Dornhạn chế của một vài loại máy phân tích phổ, có thể gặp khó khăn khi đo kiểm cácrnhệ thống dung lượng cao/băng rộng. Trong trường hợp này, có thể xem xét nhữngrnlựa chọn sau: sử dụng máy phân tích phổ hiệu suất cao để đo, sử dụng bộ lọcrnhình V (bộ lọc khe) và kỹ thuật đo hai bước. Trong trường hợp gặp khó khăn, cácrnđồ thị đo kiểm ở biên và trong các điều kiện môi trường tới hạn có thể được coirnlà sở cứ về sự phù hợp của mặt nạ phổ.

rnrn

Một mặt nạ phổ tương đối đơn giản hơn chorntrong các hình 5.3, 5.4 và 5.5, đường cong (c), có thể được áp dụng. Tuy nhiên,rntất cả các đặc tính khác trong tiêu chuẩn này phải được thỏa mãn.

rnrn

Đối với băng L6, với khe trung tâm đặc biệtrnnhỏ (44,49 MHz), mặt nạ xác định đối với biên phía trong cùng của khe trung tâmrnđối với các kênh 8 và 1’ được đưa ra trong hình 5.4.

rnrn

Đối với băng 7 GHz (khe trung tâm 56 MHz),rnmặt nạ xác định đối với các kênh phía trong cùng được đưa ra trong hình 5.5.

rnrn

Với hệ thống SDH, các mặt nạ phải được đo vớirntín hiệu đo thử điều chế băng tần gốc tuân theo Khuyến nghị O.181 [7] củarnITU-T.

rnrn

Mức 0 dB trên mặt nạ phổ tương ứng với mật độrnphổ công suất của tần số trung tâm danh định không tính đến sóng mang dư.

rnrn

Mặt nạ phổ không bao gồm dung sai tần số.

rnrn

Thiết lập máy phân tích phổ để đo mặt nạ phổrnRF như trong bảng 5.3.

rnrn

Bảng 5.3: Thiết lậprnmáy phân tích phổ

rnrn

Tham số

Giá trị

Độ rộng băng IF

100 kHz

Tổng độ rộng dải quét

200 MHz

Tổng thời gian quét

Tự động

Độ rộng băng bộ lọc Video

0,3 kHz

rnrn

K1 [dB]

f1 [MHz]

f2 [MHz]

f3 [MHz]

f4 [MHz]

f5 [MHz]

f6 [MHz]

31,5

rnrn

Hình 5.3: Giới hạnrnmật độ phổ công suất cho các kênh chuẩn (loại 5 hạng A) với yêu cầu tươngrnthích, xem Phụ lục C (điểm tham chiếu B’)

rnrn

[dB]

[MHz]

28,5

rnrn

Hình 5.4: Giới hạn mật độ phổ công suất chorncác kênh phía trong cùng (loại 5 hạng A), băng L6 GHz với yêu cầu tương thích,rnxem Phụ lục C (điểm tham chiếu B’)

rnrn

[dB]

[MHz]

29,5

rnrn

Hình 5.5: Giới hạnrnmật độ phổ công suất cho các đỉnh trong của các kênh phía trong cùng (loại 5rnhạng A), băng 7 GHz, khe trung tâm 56 MHz, với yêu cầu tương thích, xem Phụ lụcrnC (điểm tham chiếu B’)

rnrn

[dB]

[MHz]

Xem Chú thích 2

Chú thích 1:

Phổ tạp âm nền tại -60 dB được áp dụng đốirn với các hệ thống hoạt động trong băng tần dưới 10 GHz. Đối vớirn các hệ thống hoạt động tại 13 GHz và 15 GHz, phổ tạp âm nền là -55 dB.

Chú thích 2:

Biên mặt nạ = 2,5 x (CS)

70 MHz đối với CS = 28 MHz

72,5 MHz đối với CS = 29 MHz

74,125 MHz đối với CS = 29,65 MHz

75 MHz đối với CS = 30 MHz

rnrn

Hình 5.6: Giới hạn mật độ phổ công suất chorncác kênh chuẩn trong mọi băng (loại 5 hạng A), không có yêu cầu tương thích củarnPhụ lục C (điểm tham chiếu C’)

rnrn

[dB]

[MHz]

12,5

Xem chú thích 2

rnrn

Chú thích 1: Phổ tạp âm nền tạirn-60 dB được áp dụng đối với các hệ thống hoạt động trong băng tần dưới 10 GHz.rnĐối với các hệ thống hoạt động tại 13 GHz và 15 GHz, phổ tạp âm nền là -55 dB.

rnrn

Chú thích 2:

Biên mặt nạ

= 2,5 x (CS)

70 MHz đối với CS

= 28 MHz

72,5 MHz đối với CS

= 29 MHz

74,125 MHz đối với CS

= 29,65 MHz

75 MHz đối với CS

= 30 MHz

rnrn

Hình 5.7: Giới hạnrnmật độ phổ công suất cho các kênh chuẩn trong mọi băng (loại 5 hạng B), khôngrncó yêu cầu tương thích của Phụ lục C (điểm tham chiếu C’)

rnrn

5.3.1.2 Đối với hệ thống 4xSTM-1 hoặc STM-4

rnrn

Ba yếu tố chính được xem xét khi khuyến nghịrnvề mặt nạ phổ:

rnrn

a) Kiểm soát nhiễu đưa vào các kênh tương tựrnkhi hoạt động ở vị trí kênh lân cận.

rnrn

b) Kiểm soát nhiễu đưa vào các kênh số giữarncác hệ thống của các nhà sản xuất khác nhau hoạt động ở vị trí kênh lân cận.

rnrn

c) Các chỉ tiêu kỹ thuật của máy phát khácrnnhau.

rnrn

Các mặt nạ phổ RF phát xạ đối với các băngrntần khác nhau được đưa ra trong các hình 5.8 và 5.9.

rnrn

Chú thích: Mặt nạ phổ không bao gồm dung sai tầnrnsố.

rnrn

Hình 5.8: Giới hạnrnmật độ phổ công suất cho tất cả các kênh tham chiếu tại điểm B’

rnrn

Mặt nạ phổ mô tả trong hình 5.8 áp dụng chorn“hệ thống đơn sóng mang” truyền hai tín hiệu STM-1 trên một sóng mang và phânrncực.

rnrn

Mặt nạ phổ mô tảrntrong hình 5.9 áp dụng cho “hệ thống đa sóng mang” phân chia tốc độ truyền thông quarnhai hay nhiều sóng mang cho mỗi phân cực.

rnrn

Chú thích: Mặt nạ phổ không baorngồm dung sai tần số.

rnrn

Hình 5.9: Giới hạnrnmật độ phổ công suất cho tất cả các kênh tham chiếu tại điểm B’

rnrn

Mặt nạ phổ mô tả trong hình 5.8 và 5.9 phảirnđược thẩm tra trực tiếp bằng phương pháp đo (tham chiếu tại điểm B’) tới 65 dB.rnDo không thể đo trực tiếp các giá trị suy hao đến 110 dB, nên các giá trị trênrn65 dB phải được thẩm tra bằng cách bổ sung thêm đặc tính của bộ lọc đối với phổrnđo tại điểm tham chiếu A’.

rnrn

Các mặt nạ phải được đo khi hệ thống đầy tảirnvới truyền dẫn STM-4 hoặc 4xSTM-1 tại giao diện băng gốc và công suất ra đặtrntại giá trị danh định. Các mặt nạ phổ sẽ áp dụng cho từng phân cực.

rnrn

Chú thích: Các hệ thống thực tế cần dự phòng NFDrnkhoảng 48 dB từ tính toán trực tiếp hoặc đo phổ phát xạ thực tế.

rnrn

Các thiết lập cho máy phân tích phổ để đo mặtrnnạ phổ RF như sau:

rnrn

• Độ rộng băng IF 100 kHz;

rnrn

• Tổng độ rộng dải quét 100 MHz;

rnrn

• Tổng số thời gian quét 50 giây;

rnrn

• Độ rộng băng bộ lọc video 0,1 kHz.

rnrn

5.3.1.3 Phương pháp đo

rnrn

Phép đo phải được thực hiện với máy phân tíchrnphổ phù hợp kết nối tới cổng máy phát thông qua bộ suy hao phù hợp.

rnrn

Trên thực tế, các phép đo mặt nạ phổ RF đượcrnthực hiện tại kênh thấp nhất, kênh trung gian và kênh cao nhất của khối đangrnthẩm tra.

rnrn

Nếu trong tiêu chuẩn có nhiều hơn một mặt nạrnphổ thì mặt nạ phổ tương ứng phải được ghi lại trong bản ghi kết quả đo.

rnrn

Mục đích

rnrn

Thẩm tra phổ tần số ra nằm trong giới hạn quyrnđịnh của tiêu chuẩn liên quan.

rnrn

Thiết bị đo

rnrn

1) Máy phân tích phổ;

rnrn

2) Máy vẽ đồ thị.

rnrn

Cấu hình đo

rnrn

Hình 5.10: Cấu hìnhrnđo mặt nạ phổ RF Thủ tục đo

rnrn

Cổng ra của máy phát phải được nối tới máyrnphân tích phổ thông qua bộ suy hao hoặc tải giả cùng với một số phương tiệnrngiám sát phát xạ kèm theo máy phân tích phổ. Máy phân tích phổ phải có màn hiểnrnthị liên tục thay đổi hoặc chức năng lưu trữ số. Độ rộng băng phân giải, khoảngrntần số, thời gian quét và các thiết lập cho bộ lọc video của máy phân tích phổ đượcrnthiết lập theo tiêu chuẩn tương ứng.

rnrn

Với máy phát được điều chế bởi tín hiệu córncác đặc tính được đưa ra trong tiêu chuẩn tương ứng, mật độ công suất Tx phảirnđược đo bằng máy phân tích phổ và máy vẽ đồ thị. Đồ thị mật độ phổ công suấtrncủa máy phát tại kênh thấp nhất, kênh trung gian và kênh cao nhất phải được ghirnlại khi có thể. Ngoài ra, đồ thị phải được ghi lại tại điện áp cung cấp bìnhrnthường và tới hạn tại biên nhiệt độ và môi trường tới hạn.

rnrn

5.3.2 Thành phần CW rời rạc vượt quá giới hạnrnmặt nạ phổ

rnrn

5.3.2.1 Vạch phổ tại tốc độ ký hiệu

rnrn

5.3.2.1.1 Đối với hệ thống STM-1

rnrn

Mức công suất (điểm tham chiếu B’) của vạchrnphổ tại khoảng cách từ tần số trung tâm của kênh bằng tốc độ kí hiệu phải nhỏrnhơn hoặc bằng -37 dBm.

rnrn

5.3.2.1.2 Đối với hệ thống 4xSTM-1 hoặc STM-4

rnrn

Mức công suất (điểm tham chiếu B’) của vạchrnphổ tại khoảng cách từ tần số trung tâm của kênh bằng tốc độ kí hiệu phải nhỏrnhơn hoặc bằng -37 dBm.

rnrn

5.3.2.2 Các thành phần CW bổ sung

rnrn

5.3.2.2.1 Đối với hệ thống STM-1

rnrn

Nếu các thành phần CW vượt quá mặt nạ phổ thìrncần có các yêu cầu bổ sung dưới đây.

rnrn

Các vạch phổ này phải không được:

rnrn

– Vượt quá mặt nạ với hệ số lớn hơn {10 logrn(CSmin/IFbw) – 10} dB (xem chú thích);

rnrn

– Khoảng cách giữa mỗi tần số khác nhau nhỏrnhơn CSmin.

rnrn

Trong đó:

rnrn

– CSmin = 10 MHz với băng 4 GHz;

rnrn

– CSmin = 14,825 MHz với băng 6L GHz;

rnrn

– CSmin = 7 MHz với băng 7 và 8 GHz;

rnrn

– CSmin = 1,75 MHz với băng 13 và 15 GHz.

rnrn

Độ rộng băng IF là độ rộng băng phân giảirnkhuyến nghị, được đưa ra trong bảng 5.3.

rnrn

Chú thích: Trong trường hợp việc tính toán theornhệ số dẫn đến giá trị âm, thì sẽ không cho phép hệ số nữa.

rnrn

Hình 5.11 chỉ ra vírndụ điển hình của yêu cầu này.

rnrn

Hình 5.11: Vạch phổrncủa CW vượt quá mặt nạ phổ (ví dụ điển hình)

rnrn

5.3.2.2.2 Đối với hệ thống 4xSTM-1 hoặc STM-4

rnrn

Nếu các thành phần CW vượt quá mặt nạ phổ thìrncần có các yêu cầu bổ sung dưới đây.

rnrn

Các vạch phổ này phải không được:

rnrn

– Vượt quá mặt nạ với hệ số lớn hơnrn{10log(CSmin/IFbw) – 10} dB.

rnrn

– Khoảng cách giữa mỗi tần số khác nhau nhỏrnhơn CSmin.

rnrn

Với:

rnrn

CSmin = 10 000 kHz tại băng 4 GHz, 5 GHz, U6rnGHz và 11 GHz.

rnrn

IFbw là độ rộng băng IF phân giải khuyếnrnnghị, tính theo kHz (được chỉ ra trong mục 5.3.1.2).

rnrn

Hình 5.12 chỉ ra ví dụ điển hình của yêu cầurnnày.

rnrn

Hình 5.12: Vạch phổrncủa CW vượt quá giới hạn mặt nạ phổ (ví dụ điển hình)

rnrn

5.3.2.3 Phương pháp đo

rnrn

Mục đích

rnrn

Để thẩm tra mức công suất của các vạch phổrntại khoảng cách từ tần số trung tâm bằng tốc độ kí hiệu là nhỏ hơn -x dBm hoặcrnx dB dưới mức công suất trung bình của sóng mang.

rnrn

Yêu cầu của tiêu chuẩn liên quan có thể làrnsuy hao tương đối so với công suất sóng mang trung bình hoặc mức tuyệt đối.

rnrn

Xem chú thích trong mục 5.3.1.3.

rnrn

5.3.3 Điều khiển công suất phát từ xa (RTPC)

rnrn

5.3.3.1 Đối với hệ thống STM-1

rnrn

RTPC là đặc tính tùy chọn. Khi thiết bị sửrndụng đặc tính này thì nhà sản xuất sẽ công bố dải RTPC và dung sai tương ứng.rnCác phép đo kiểm phải được thực hiện tại mức công suất ra tương ứng với mứcrnRTPC đặt tại công suất danh định cực đại đối với chỉ tiêu của máy phát và đốirnvới chỉ tiêu hệ thống.

rnrn

Mặt nạ phổ RF phải được thẩm tra tại 3 điểmrn(thấp, trung bình và cao) của độ lệch công suất RTPC và với ATPC đặt tại mứcrncông suất cực đại cho phép (nếu có). Nếu các phép đo mặt nạ phổ gặp trở ngạirnthì có thể xác định bằng kinh nghiệm. Các phương pháp đo thực tế phải được quanrntâm nghiên cứu thêm và sẽ được xác định trong tiêu chuẩn đo kiểm hợp chuẩnrn(theo tài liệu tham chiếu chuẩn [4]).

rnrn

Khi tính đến tạp băng rộng được tạo ra bởirnchuỗi các máy phát thì dải RTPC phải được giới hạn để đảm bảo rằng các yêu cầurnvề mặt nạ phổ được thỏa mãn trong toàn dải công suất ra của máy phát.

rnrn

Chú thích: Khi việc sử dụng ATPC là bắt buộc chorncác mục tiêu quản lý thì công suất đầu ra của máy phát phải thỏa mãn giới hạnrnmặt nạ phổ trong toàn dải ATPC.

rnrn

5.3.3.2 Đối với hệ thống 4xSTM-1 hoặc STM-4

rnrn

RTPC là đặc tính tùy chọn. Khi thiết bị sửrndụng đặc tính này thì nhà sản xuất phải công bố dải RTPC và dung sai tương ứng.rnCác phép đo kiểm phải được thực hiện với mức công suất ra tương ứng với:

rnrn

– RTPC được điều chỉnh tới các giá trị cựcrnđại và cực tiểu đối với chỉ tiêu hệ thống.

rnrn

– RTPC được đặt tại công suất cực đại đối vớirnchỉ tiêu của máy phát.

rnrn

– Mặt nạ phổ RF phải được thẩm tra tại 3 điểmrn(phần thấp, phần trung bình và phần cao của băng tần đó được hoạch định (nếu córnthể áp dụng). Điều khiển công suất Tx phải được thiết lập tới giá trị cực đại.

rnrn

5.3.3.3 Phương pháp đo

rnrn

Khi sử dụng chức năng điều khiển công suấtrnphát từ xa, chức năng này phải được kiểm tra và ghi lại trong quá trình đo kiểmrncông suất ra của máy phát.

rnrn

5.4. Phát xạ giả

rnrn

Phát xạ giả từ máy phát cần phải xác định bởirn2 lý do:

rnrn

a) Để hạn chế nhiễu đi vào các hệ thống khácrnđang hoạt động nằm hoàn toàn bên ngoài hệ thống đang xem xét (phát xạ bênrnngoài), các giới hạn này được tham chiếu tại Khuyến nghị CEPT/ERC 74-01 [6] dựarntrên Khuyến nghị ITU-R SM.329-7 [12] và F.1191-1 [13];

rnrn

b) Để hạn chế nhiễu nội bên trong hệ thốngrnnơi mà các máy phát và máy thu được nối trực tiếp thông qua các bộ lọc và cácrnhệ thống phân nhánh.

rnrn

Điều này dẫn đến: có hai mức giới hạn phát xạrngiả, trong đó giới hạn xác định đối với nhiễu “nội” phải không lớn hơn giới hạnrncủa nhiễu “ngoại”.

rnrn

5.4.1 Phát xạ giả bên ngoài

rnrn

5.4.1.1 Đối với hệ thống STM-1

rnrn

Theo Khuyến nghị CEPT/ERC 74-01 [6]: phát xạrngiả bên ngoài được xác định là những phát xạ tại tần số cách tần số sóng mangrndanh định ±250% của khoảng cách kênh liên quan.

rnrn

Bên ngoài băng ±250% của khoảng cách kênhrnliên quan (CS), giới hạn phát xạ giả của các hệ thống vô tuyến dịch vụ cố định,rncùng với dải tần số được xem xét để đo hợp chuẩn, phải áp dụng tại điểm thamrnchiếu C’.

rnrn

5.4.1.2 Đối với hệ thống 4xSTM-1 hoặc STM-4

rnrn

Theo Khuyến nghị CEPT/ERC 74-01 [6]: phát xạrngiả bên ngoài được định nghĩa là những phát xạ tại tần số cách tần số sóng mangrndanh định ±250% của khoảng cách kênh liên quan.

rnrn

Bên ngoài băng ±250% của khoảng cách kênhrnliên quan (CS), giới hạn phát xạ giả của các hệ thống vô tuyến dịch vụ cố địnhrncùng với dải tần số được xem xét để đo hợp chuẩn, phải được áp dụng.

rnrn

Bên trong băng ±250% của khoảng cách kênhrnliên quan, phát xạ chỉ bao gồm phát xạ cơ bản và phát xạ ngoài băng, phải tuânrntheo mặt nạ phổ và các giới hạn yêu cầu trong mục 5.3.1 và 5.3.2.

rnrn

Các giá trị giới hạn được tính tại điểm thamrnchiếu C’.

rnrn

5.4.1.3 Phương pháp đo

rnrn

Mục đích

rnrn

Để thẩm tra rằng bất kỳ phát xạ giả nào tạornra từ máy phát đều nằm trong giới hạn trích dẫn trong chuẩn liên quan. Phát xạrngiả là phát xạ nằm ngoài độ rộng băng cần thiết dùng để truyền dữ liệu đầu vàorntừ máy phát đến máy thu, mức phát xạ giả có thể bị giảm mà không ảnh hưởng tớirnsự truyền tải thông tin tương ứng. Phát xạ giả bao gồm phát xạ hài, phát xạ kýrnsinh, các thành phần xuyên điều chế và các thành phần biến đổi tần số.

rnrn

Thiết bị đo

rnrn

1) Máy phân tích phổ;

rnrn

2) Các khối trộn của máy phân tích phổ;

rnrn

3) Máy vẽ đồ thị

rnrn

Cấu hình đo

rnrn

Hình 5.13: Cấu hìnhrnđo phát xạ giả bên ngoài

rnrn

Thủ tục đo

rnrn

Cổng đầu ra máy phát phải được nối với máyrnphân tích phổ thông qua bộ suy hao phù hợp và/hoặc bộ lọc khe để hạn chế côngrnsuất tới máy phân tích phổ. Trong một số trường hợp, khi giới hạn tần số trênrnvượt quá dải tần hoạt động cơ bản của máy phân tích phổ thì phải có bộ trộn vàrnbộ chuyển đổi ống dẫn sóng phù hợp. Một điều quan trọng đó là mạch điện nằmrngiữa máy phát và đầu vào bộ trộn, hoặc máy phân tích phổ, được định rõ đặc điểmrntrên toàn dải tần cần đo. Những tổn hao này phải được sử dụng để thiết lậprnđường giới hạn của máy phân tích phổ tại một giá trị đảm bảo rằng chỉ tiêu kỹrnthuật tại điểm C’ không được vượt quá (xem hình 5.13).

rnrn

Máy phát hoạt động với công suất đầu ra lớnrnnhất mà nhà sản xuất công bố, đo mức và tần số của tất cả các tín hiệu quanrntrọng và vẽ đồ thị trên băng tần xác định trong chỉ tiêu kỹ thuật liên quan.rnKhuyến nghị sử dụng bước quét 5 GHz cho dải tần dưới 21,2 GHz và bước quét 10rnGHz cho dải tần trên 21,2 GHz. Tuy nhiên, các phát xạ giả gần với giới hạn phảirnđược vẽ trên một dải giới hạn để chứng minh rõ ràng rằng tín hiệu không vượtrnquá giới hạn có liên quan.

rnrn

Chú thích 1: Khi yêu cầu kỹ thuậtrnchỉ ra rằng phép đo phát xạ giả được thực hiện với thiết bị trong điều kiệnrnđiều chế, độ rộng băng phân giải của máy phân tích phổ phải thiết lập tới mứcrnxác định trong chỉ tiêu kỹ thuật. Khoảng tần số và tốc độ quét của máy phânrntích phổ cần điều chỉnh để duy trì nền tạp âm nằm dưới đường giới hạn và duyrntrì máy phân tích phổ trong điều kiện chuẩn.

rnrn

Chú thích 2: Phép đo mức phát xạrngiả của thiết bị hoạt động trong điều kiện CW có thể được thực hiện với độ rộngrnbăng phân giải, khoảng tần số và tốc độ quét đảm bảo máy phân tích phổ ở điềurnkiện được lấy chuẩn trong khi vẫn duy trì được sự sai khác giữa nền tạp âm và đườngrngiới hạn tối thiểu là 10 dB.

rnrn

Chú thích 3: Do thiết bị sử dụngrntín hiệu RF ở mức thấp và điều chế băng thông rộng nên phép đo công suất RF bứcrnxạ có độ không đảm bảo đo lớn hơn các phép đo dẫn. Vì thế khi thiết bị được lắprnbình thường với ăng ten tích hợp, nhà sản xuất phải cung cấp một bộ ghép đo córnchức năng chuyển đổi các tín hiệu bức xạ thành tín hiệu dẫn đưa vào kết cuối 50rnW.

rnrn

Do thiếu sự chuẩn hóa nên hầu hết các tiêurnchuẩn DRRS có các yêu cầu không được xác định rõ ràng.

rnrn

Cụ thể hai tham số đo có thể bị thiếu:

rnrn

– Độ rộng băng ước lượng (BWe) sử dụng trongrnđo kiểm máy phân tích phổ.

rnrn

– Bên ngoài độ rộng băng nằm ở hai phía tầnrnsố trung tâm danh định, các phát xạ được gọi là “phát xạ ngoài băng”, và vì thếrnchúng không phải là “phát xạ giả”.

rnrn

Trong những trường hợp này, yêu cầu phải đượcrnxem xét theo điều khoản CEPT đối với “điều kiện sóng mang không điều chế”rn(nghĩa là: chỉ xem xét phát xạ CW). Bên ngoài độ rộng băng nằm ở hai phía tầnrnsố trung tâm danh định phải được lấy là ±250% khoảng cách kênh liên quan, theornKhuyến nghị ITU-R F.1191-1 [13].

rnrn

Tuy nhiên nếu trong tiêu chuẩn thiết bị córncông bố BWe thì phải sử dụng giá trị BWe đó.

rnrn

Hầu hết các DRRS hiện đại không có khả năngrntruyền sóng mang không điều chế, trong trường hợp này, phép đo phải thực hiệnrnvới sóng mang điều chế, miễn là giới hạn mức tạp âm giống như phát xạ giả (vírndụ: hài và tần số ảnh của bộ trộn) được xem như “mức lớn nhất trong bất kỳ băngrncơ bản nào bằng BWe”.

rnrn

Trong các trường hợp khác, tiêu chuẩn liênrnquan có thể đòi hỏi rõ ràng đối với các điều kiện sóng mang điều chế và đưa rarncác tham số cho thủ tục đo kiểm.

rnrn

5.4.2 Phát xạ giả nội

rnrn

5.4.2.1 Đối với hệ thống STM-1

rnrn

Các mức phát xạ giả từ máy phát, tham chiếurntại điểm B’ của hình 4.1, được quy định trong bảng 5.4.

rnrn

Mức yêu cầu sẽ là mức trung bình cộng củarnphát xạ đang xem xét.

rnrn

Bảng 5.4: Mức nội đốirnvới phát xạ giả của máy phát

rnrn

Tần số phát xạ giảrn tương ứng với tần số ấn định của kênh

Giới hạn chỉ tiêurn kỹ thuật

Hệ số điều khiểnrn đối với yêu cầu áp dụng

Mức của tất cả tín hiệu giả đối với cả thànhrn phần CW rời rạc lẫn thành phần tựa nhiễu (noise-like) được đánh giá là mứcrn tín hiệu tổng

≤ -90 dBm

Khi tần số của tín hiệu giả nằm trong nửa độrn rộng băng của máy thu, đối với hệ thống số có các yêu cầu tương thích nhưrn trong Phụ lục C.2.

≤ -70 dBm

Khi tần số của tín hiệu giả nằm trong nửa độrn rộng băng của máy thu, đối với hệ thống số có các yêu cầu tương thích nhưrn trong phụ lục C.3.

rnrn

Những yêu cầu đối với phát xạ giả nội làrnkhông cần thiết đối với các hệ thống không tuân thủ các yêu cầu tương thíchrntrong phụ lục C.

rnrn

5.4.2.2 Đối với hệ thống 4xSTM-1 hoặc STM-4

rnrn

Các mức phát xạ giả từ máy phát, tham chiếurntại điểm B’ được xác định trong bảng 5.5.

rnrn

Bảng 5.5

rnrn

Tần số phát xạ giảrn tương ứng với tần số ấn định của kênh

Giới hạn chỉ tiêurn kỹ thuật

Hệ số điều khiểnrn đối với yêu cầu áp dụng

± IF (tần số dao động nội)

< -60 dBm

Trong nửa băng từ số đến tương tự

± 2xIF (dải biên không mong muốn)

< -90 dBm

Trong nửa băng khác số với số

± IF, ±3xIF (dải biên không mong muốn tạirn hài IF bậc 2)

< -90 dBm

Trong nửa băng khác số với số

Mức của tất cả các tín hiệu giả khác phải:

< -90 dBm

Nếu tần số tín hiệu tạp nằm trong nửa băngrn của Rx

< -60 dBm

Nếu tần số tớn hiệu tạp nằm trong nửa băngrn của Tx

rnrn

Đối với các hệ thống số không có mạng phânrnnhánh (nghĩa là có bộ song công), giới hạn -90 dBm đối với tín hiệu giả đưa rarnở trên phải được mở rộng tới -70 dBm.

rnrn

5.5. ATPC và RFC

rnrn

5.5.1 Điều khiển công suất phát tự độngrn(ATPC)

rnrn

5.5.1.1 Đối với hệ thống STM-1

rnrn

ATPC là đặc tính tùy chọn. Khi thiết bị sửrndụng đặc tính này thì nhà cung cấp phải công bố dải ATPC và dung sai tương ứng.rnNhà sản xuất phải công bố nếu như thiết bị được thiết kế có ATPC là đặc tínhrnthường xuyên cố định. Việc đo kiểm phải được thực hiện với mức công suất rarntương ứng với:

rnrn

– Giá trị ATPC được thiết lập tới giá trị cốrnđịnh đối với chỉ tiêu hệ thống.

rnrn

– Giá trị ATPC được thiết lập ở mức công suấtrnkhả dụng cực đại đối với chỉ tiêu phát.

rnrn

Phải thẩm tra rằng phổ RF phát xạ nằm trongrnmặt nạ phổ RF tuyệt đối, được tính toán đối với công suất ra cực đại cho phéprncủa thiết bị, bao gồm cả suy hao do RTPC, nếu có.

rnrn

Chú thích: Khi việc sử dụng ATPC là điều kiệnrnbắt buộc để điều chỉnh thì công suất đầu ra của máy phát phải phù hợp với giớirnhạn mặt nạ phổ trong toàn dải ATPC.

rnrn

Dải ATPC là khoảng công suất từ mức công suấtrnra danh định đến mức công suất ra nhỏ nhất của bộ khuếch đại (tại điểm B’) córnATPC.

rnrn

5.5.1.2 Đối với hệ thống 4xSTM-1 hoặc STM-4

rnrn

– Giá trị ATPC được thiết lập tới giá trị cốrnđịnh đối với chỉ tiêu hệ thống.

rnrn

– Giá trị ATPC được thiết lập ở mức công suấtrnkhả dụng cực đại đối với chỉ tiêu phát.

rnrn

5.5.1.3 Phương pháp đo

rnrn

ATPC là đặc tính tùy chọn. Tuy nhiên, khirnthiết bị sử dụng đặc tính này thì phải kiểm tra mức công suất ra trung bình cựcrntiểu và cực đại. Ngoài ra, phải chứng minh được sự hoạt động đúng của tính năngrntự động. Khi tiêu chuẩn không bao gồm chỉ tiêu kỹ thuật của ATPC thì phộp đornkiểm đối với ATPC dựa vào chỉ tiêu kỹ thuật của nhà sản xuất.

rnrn

Mục đích

rnrn

Thẩm tra việc hoạt động chính xác của mạchrnvòng điều khiển, nghĩa là: khi sử dụng ATPC, công suất ra của máy phát có thểrnđược thiết lập bằng tay tới mức cực đại và cực tiểu. Ngoài ra, cũng phải kiểmrntra tính hoạt động đúng của mạch vòng điều khiển, nghĩa là: công suất đầu ra Txrnphải tương ứng với mức vào tại máy thu từ xa.

rnrn

Thiết bị đo

rnrn

Giống với phép đo công suất cực đại.

rnrn

Cấu hình đo (nhân công)

rnrn

Hình 5.14: Cấu hìnhrnđo điều khiển công suất phát tự động (ATPC) (nhân công)

rnrn

Cấu hình đo (tự động)

rnrn

Hình 5.15: Cấu hìnhrnđo điều khiển công suất phát tự động (ATPC) (tự động)

rnrn

Thủ tục đo

rnrn

Đặt công suất ra của máy phát ở mức cực đại,rnđo công suất trung bình tại điểm B’(C’). Lặp lại phép đo với công suất ra củarnmáy phát ở mức cực tiểu. Toàn bộ suy hao giữa điểm B’(C’) và máy đo công suấtrnphải được tính đến.

rnrn

Phải thẩm tra tính hoạt động đúng của mạchrnvòng kín đối với tất cả các thiết bị có bộ điều khiển công suất tự động. Banrnđầu, bộ suy hao B (xem hình 5.15) được thiết lập cho công suất ra Tx cực tiểu,rnsau đó tăng dần cho đến khi đạt được mức ra cực đại của máy phát. Trong toànrndải công suất phát, mức vào máy thu phải được duy trì trong giới hạn đưa rarntrong chuẩn liên quan hoặc trong tiêu chuẩn hoạt động được bảo đảm của nhà sảnrnxuất. Lặp lại phép đo để thẩm tra rằng chỉ tiêu điều khiển công suất tự động,rngiữa công suất cực đại và cực tiểu của máy phát, phù hợp với chuẩn liên quanrnhoặc với giới hạn chỉ tiêu của nhà sản xuất.

rnrn

5.5.2 Điều khiển tần số từ xa (RFC)

rnrn

5.5.2.1 Đối với hệ thống STM-1

rnrn

RFC là đặc tính tùy chọn. Khi thiết bị sửrndụng đặc tính này thì nhà sản xuất phải công bố dải RFC và dung sai tương ứng.rnViệc đo kiểm phải được thực hiện bao gồm:

rnrn

– Thủ tục thiết lập RFC phải thực hiện ítrnnhất tại 3 tần số (thấp, giữa và cao của dải bao trùm);

rnrn

– Thủ tục thiết lập RFC không được tạo rarnphát xạ bên ngoài mặt nạ phổ tần số trước đó và cuối cùng.

rnrn

5.5.2.2. Phương pháp đo

rnrn

Điều khiển tần số từ xa là đặc tính tùy chọn.rnTuy nhiên, khi lắp đặt, chức năng này phải được kiểm tra trong phép đo độ chínhrnxác tần số.

rnrn

6. Yêu cầu về địnhrnhướng ăng ten

rnrn

Theo tài liệu tham chiếu chuẩn [5]:

rnrn

Dải tần số

rnrn

Trong tiêu chuẩn này, toàn bộ dải tần từ 3rnGHz đến 20 GHz được chia làm 2 dải tần như sau:

rnrn

Dải tần 1: từ 3 GHz đến 14 GHz;

rnrn

Dải tần 2: từ 14 GHz đến 20 GHz;

rnrn

Phân loại ăng ten

rnrn

Theo tăng ích ăng ten: có 2 loại được ứngrndụng:

rnrn

• Tăng ích loại 1: Loại ăng ten này yêu cầurntăng ích thấp đối với mục đích kết hợp;

rnrn

• Tăng ích loại 2: Loại ăng ten này yêu cầurntăng ích cao đối với mục đích kết hợp. Theo đường bao mẫu bức xạ (RPE): có 4rnloại được xác định:

rnrn

• Loại 1: Những ăng ten sử dụng trong cácrnmạng có khả năng nhiễu thấp. Ví dụ điển hình về khả năng nhiễu thấp có thể là:

rnrn

– Những ăng ten sử dụng trong các mạng vôrntuyến, nơi có kế hoạch triển khai mật độ thấp, và vì thế, khả năng nhiễu giữarncác hệ thống và bên trong hệ thống thấp, và tại những nơi đề xuất cho mạng vôrntuyến số dung lượng cao.

rnrn

– Những ăng ten sử dụng trong các mạng vôrntuyến, nơi có khả năng nhiễu giữa các hệ thống và bên trong hệ thống trungrnbình, và tại những nơi đề xuất cho mạng vô tuyến số dung lượng thấp.

rnrn

• Loại 2: Những ăng ten sử dụng trong cácrnmạng có khả năng nhiễu cao. Ví dụ điển hình về khả năng nhiễu cao có thể là:

rnrn

– Những ăng ten sử dụng trong các mạng vôrntuyến, nơi có khả năng nhiễu giữa các hệ thống và bên trong hệ thống trungrnbình, và tại những nơi đề xuất cho mạng vô tuyến số dung lượng cao.

rnrn

– Những ăng ten sử dụng trong các mạng vôrntuyến, nơi có kế hoạch triển khai mật độ cao, và vì thế, khả năng nhiễu giữarncác hệ thống và bên trong hệ thống cao, và tại những nơi đề xuất cho mạng vôrntuyến số dung lượng thấp.

rnrn

• Loại 3: Những ăng ten sử dụng trong cácrnmạng có khả năng nhiễu rất cao. Ví dụ điển hình về khả năng nhiễu rất cao córnthể là:

rnrn

• Loại 4: Những ăng ten sử dụng trong cácrnmạng có khả năng nhiễu cực kỳ cao. Ví dụ điển hình về khả năng nhiễu cực kỳ caorncó thể là:

rnrn

– Những ăng ten sử dụng trong các mạng vôrntuyến, nơi có kế hoạch triển khai mật độ rất cao, và vì thế, khả năng nhiễurngiữa các hệ thống và bên trong hệ thống rất cao, và tại những nơi đề xuất chornmạng vô tuyến số dung lượng cao.

rnrn

Trong những băng tần có thể tồn tại sự nghẽnrnphổ, người quản lý có thể yêu cầu sử dụng các ăng ten loại cao hơn.

rnrn

Theo phân biệt phân cực chéo (XPD): có 3 loại chỉ tiêurnXPD được xác định (xem mục 6.3, bảng 6.1):

rnrn

• XPD loại 1: các ăng ten có độ phân biệtrnphân cực chéo chuẩn.

rnrn

• XPD loại 2: các ăng ten có độ phân biệt phânrncực chéo cao.

rnrn

• XPD loại 3: các ăng ten có độ phân biệtrnphân cực chéo cao trong miền góc mở rộng.

rnrn

Đặc tính kỹ thuật về điện

rnrn

Đối với mỗi loại ăng ten, nhà sản xuất ăngrnten phải thông báo rõ về băng tần hoạt động và tăng ích ít nhất tại hai biên vàrnđiểm giữa của băng tần hoạt động. Ăng ten có sử dụng mái che phải thỏa mãn cácrnyêu cầu của tiêu chuẩn khi mái che được đặt.

rnrn

Hệ thống ăng ten phải bức xạ sóng phân cựcrntuyến tính (đơn hoặc kép).

rnrn

6.1 Đường bao mẫu bức xạ (RPE)

rnrn

(Các) RPE đối với mỗi loại ăng ten, phải đảmrnbảo tính linh hoạt tối đa trong việc quản lý để tối ưu hóa sự kết hợp.

rnrn

Mẫu bức xạ đồng phân cực và phân cực chéo đorntrong mặt phẳng phương vị đối với cả hai phân cực phải không được vượt quárn(các) RPE được xác định trong danh sách như sau:

rnrn

Dải tần 1:

rnrn

– Loại 1: Hình 6.1a)

rnrn

– Loại 2: Hình 6.1b)

rnrn

– Loại 3: Hình 6.1c)

rnrn

– Loại 4: Hình 6.1d)

rnrn

Dải tần 2:

rnrn

– Loại 1: Hình 6.2a)

rnrn

– Loại 2: Hình 6.2b)

rnrn

– Loại 3: Hình 6.2c)

rnrn

Góc (độ)

Đồng phân cực (dBi)

Góc (độ)

Phân cực chéo (dBi)

-2

110

-2

140

-8

100

-5

170

-8

120

-8

170

-6

180

-8

180

-6

rnrn

Hình 6.1a): RPEs đốirnvới các ăng ten loại 1 trong dải tần 1

rnrn

Góc (độ)

Đồng phân cực (dBi)

Góc (độ)

Phân cực chéo (dBi)

-3

100

-20

105

-20

180

-20

180

-20

rnrn

Hình 6.1b): RPEs đốirnvới các ăng ten loại 2 trong dải tần 1

rnrn

Góc (độ)

Đồng phân cực (dBi)

Góc (độ)

Phân cực chéo (dBi)

-5

100

-25

-5

180

-25

-6

-10

-15

-25

180

-25

rnrn

Hình 6.1c): RPEs đốirnvới các ăng ten loại 3 trong dải tần 1

rnrn

Góc (độ)

Đồng phân cực (dBi)

Góc (độ)

Phân cực chéo (dBi)

-7

-5

-18

-15

-20

-24

105

-30

-24

180

-30

-25

105

-33

180

-33

rnrn

Hình 6.1d): RPEs đốirnvới các ăng ten loại 4 trong dải tần 1

rnrn

Góc (độ)

Đồng phân cực (dBi)

Góc (độ)

Phân cực chéo (dBi)

110

140

-8

170

-8

-3

170

-6

-3

180

-6

120

-8

180

-8

rnrn

Hình 6.2a): RPEs đốirnvới các ăng ten loại 1 trong dải tần 2

rnrn

Góc (độ)

Đồng phân cực (dBi)

Góc (độ)

Phân cực chéo (dBi)

-8

-1

100

-18

-1

160

-20

-10

180

-20

180

-20

rnrn

Hình 6.2b): RPEs đốirnvới các ăng ten loại 2 trong dải tần 2

rnrn

Góc (độ)

Đồng phân cực (dBi)

Góc (độ)

Phân cực chéo (dBi)

-13

-4

-15

-27

-25

180

-27

-31

180

-31

rnrn

Hình 6.2c): RPEs đốirnvới các ăng ten loại 3 trong dải tần 2

rnrn

6.2 Tăng ích ăng ten

rnrn

Tăng ích ăng ten phải được biểu thị tương ứngrnvới một bộ bức xạ đẳng hướng (dBi). Tăng ích ăng ten phải lớn hơn giá trị cựcrntiểu trên toàn dải tần hoạt động của hệ thống. Hai loại tăng ích ăng ten cựcrntiểu được đề cập trong tiêu chuẩn này là:

rnrn

– Loại tăng ích 1: 28 dBi;

rnrn

– Loại tăng ích 2: 32 dBi.

rnrn

Người quản lý sẽ xác định một loại tăng íchrnsử dụng cho mỗi nhiệm vụ thích hợp.

rnrn

6.3 Phân biệt cực chéo của ăng ten (XPD)

rnrn

XPD tương ứng với RPE (xem mục 6.1) phải lớnrnhơn hoặc bằng các giá trị chỉ ra trong bảng 6.1.

rnrn

Chú thích: Profin -1dB của ăng ten băng kép phảirnđược sử dụng cho băng tần số cao nhất.

rnrn

Hình 6.3: Mặt nạ XPDrnđo xung quanh trục búp sóng chính

rnrn

Chú thích: Profin -1dB phải được sử dụng chornbăng tần số cao nhất trong trường hợp ăng ten hai băng tần.

rnrn

Hình 6.4: Mặt nạ củarnXPD đo xung quanh trục búp sóng chính

rnrn

Trong các hình 6.3 và 6.4, mặt nạ được đưa rarnđối với các phép đo XPD xung quanh trục búp sóng chính.

rnrn

Bảng 6.1: Giá trị XPDrntương ứng với giá trị RPE trong mục 6.1

rnrn

Các dải tần

XPD chuẩn (dB)
rn (Chú thích 1)

XPD cao (dB)

Loại 2
rn (Tham khảo hình 6.3)

Loại 3
rn (Tham khảo hình 6.4)

Dải 1

35
rn 40 (chú thích 2)

Dải 2

Chú thích 1: Dựa vào mặt cắt góc phương vịrn trong phạm vi 1 dB đối với trục búp sóng chính đồng phân cực.

Chú thích 2: Tham khảo miền A trong hìnhrn 6.4.

rnrn

7. Đặc tính kỹ thuậtrncủa máy thu

rnrn

7.1. BER là hàm của mức vào máy thu (RSL)

rnrn

7.1.1 Đối với hệ thống STM-1

rnrn

Ngưỡng BER của máy thu (dBm) tham chiếu tạirnđiểm C (đối với các hệ thống có bộ ghép song công đơn) hoặc điểm B (đối với cácrnhệ thống có phân nhánh đa kênh) của sơ đồ khối (xem hình 4.1) đối với BER = 10^-3,rn10^-6 và 10^-10 phải bằng hoặc nhỏ hơn các giá trị chỉ rarntrong bảng 7.1.

rnrn

Bảng 7.1: Các ngưỡngrnchỉ tiêu BER

rnrn

RSL @ BER

RSL @ 10^-3

[dBm]

RSL @ 10^-6

[dBm]

RSL @ 10^-10

[dBm]

Băng tần

< 10 GHz

-71

-67

-63

13 GHz

-70

-66

-62

15 GHz

-69,5

-65,5

-61,5

rnrn

Đối với các hệ thống ngoài trời và một phầnrnngoài trời không phụ thuộc vào các yêu cầu tương thích được chỉ ra trong Phụrnlục C, các ngưỡng chỉ tiêu BER sẽ giảm 2 dB so với các giá trị đưa ra ở bảngrntrên.

rnrn

7.1.2 Đối với hệ thống 4xSTM-1 hoặc STM-4

rnrn

Điểm tham chiếu để xác định đường cong BERrncủa mức đầu vào máy thu là B.

rnrn

Trong bảng 7.2, các giá trị BER đưa ra có thểrnvượt quá mức tín hiệu nhỏ nhất trong chỉ tiêu đó cho. (Vì thế các mức trongrntiêu chuẩn này có thể được xem là tiêu chuẩn chỉ tiêu chấp nhận tối thiểu hoặcrnmức ngưỡng cực đại của máy thu). Những giá trị trong bảng 7.2 phải được đo vớirncùng mức đầu vào trên cả hai phân cực và với hệ thống đủ tải, tải STM-4 hoặc 4xSTM-1rntại giao diện băng gốc.

rnrn

Bảng 7.2: Mức đầu vàornmáy thu đối với các băng tần khác nhau

rnrn

Băng tần

4, 5, U6 GHz

11 GHz

BER=10^-3

– 63 dBm

– 62 dBm

BER=10^-6

– 59 dBm

– 58 dBm

BER=10^-10

– 54 dBm

– 53 dBm

Chú thích: Các giới hạn nàyrn được yêu cầu khi kết nối tới cùng một cổng ăng ten của kênh chẵn và lẻ, phânrn cách 40 MHz trên cùng một phân cực, được thực hiện với bộ ghép hybrid 3 dBrn đặt tại điểm tham chiếu C. Khi được chọn lựa, đối với mục đích trên, giảirn pháp bộ lọc phân nhánh băng hẹp được sử dụng, các giới hạn này có thể lớn hơnrn 1,5 dB.

rnrn

7.1.3 Phương pháp đo

rnrn

Mục đích

rnrn

Thẩm tra mức tín hiệu thu được so với BERrnngưỡng. Đây là phép đo đặc trưng tại 3 mức BER xác định trong tiêu chuẩn liênrnquan.

rnrn

Thiết bị đo

rnrn

1) Bộ tạo mẫu/Bộ phát hiện lỗi;

rnrn

2) Bộ cảm biến và máy đo công suất.

rnrn

Cấu hình đo

rnrn

Hình 7.1: Cấu hình đornRLS

rnrn

Thủ tục đo

rnrn

Nối đầu ra bộ tạo mẫu tới đầu vào BB của Tx.rnGửi tín hiệu ra BB của Rx tới bộ phát hiện lỗi. Sau đó ghi lại đường cong BERrnbằng cách thay đổi trường của máy thu. Thẩm tra rằng RSL, tương ứng với BERrnngưỡng, nằm trong giới hạn của chỉ tiêu kỹ thuật.

rnrn

7.2 Độ nhạy cảm nhiễu đồng kênh bên ngoài

rnrn

7.2.1 Đối với hệ thống STM-1

rnrn

Các giới hạn nhiễu đồng kênh phải tuân theornbảng 7.3, giá trị C/I cực đại đưa ra đối với độ suy hao 1 dB và 3 dB của giớirnhạn BER = 10^-6 được xác định trong mục 7.1.

rnrn

Với mục đích phối hợp tần số, các giá trịrntrung gian được đưa ra trong hình A.1 (xem Phụ lục A).

rnrn

Bảng 7.3: Độ nhạy cảmrnnhiễu đồng kênh

rnrn

Độ suy giảm RSLrn theo C/I tại BER = 10^-6

Độ suy hao à

1 dB

3 dB

Loại 5 hạng A

Loại 5 hạng B

rnrn

7.2.2 Đối với hệ thống 4xSTM-1 hoặc STM-4

rnrn

Áp dụng chỉ tiêu kỹ thuật sau đây cho nhiễurn“bên ngoài” từ các hệ thống giống nhau nhưng từ tuyến khác nhau (nhiễu nút).

rnrn

Đối với các băng tần đưa ra trong mục 4.2,rngiới hạn độ nhạy nhiễu đồng kênh phải theo hình 7.2.

rnrn

Chú thích: Độ suy giảm mức đầu vào của máy thurnđưa ra trong hình 7.2 liên quan tới các mức đầu vào của máy thu đưa ra trongrnbảng 7.2.

rnrn

Tỷ số hiệu trên nhiễurn[dB]

rnrn

Hình 7.2: Giới hạn độrnnhạy cảm đối với nhiễu số đồng kênh “bên ngoài” tham chiếu tại điểm B’

rnrn

7.2.3 Phương pháp đo

rnrn

Có những khác biệt trong một số tiêu chuẩn vềrnyêu cầu đo kiểm độ nhạy nhiễu đồng kênh. Những thay đổi này đó được tính đếnrnvới việc đưa ra các phương pháp đo 1 và 2 cho phép đo thử này. Đơn vị đo kiểmrncó thể áp dụng phương pháp phù hợp với tiêu chuẩn thiết bị liên quan.

rnrn

Phương pháp 1

rnrn

Mục đích

rnrn

Để thẩm tra rằng BER tại điểm Z, của thiết bịrnđang thẩm tra, vẫn ở mức thấp hơn giới hạn trong chỉ tiêu kỹ thuật liên quanrnkhi có nhiễu giống với tín hiệu điều chế trên cùng một kênh. Mức tín hiệu mongrnmuốn và nhiễu tại điểm B(C) phải được đặt ở các mức đã cho trong chỉ tiêu kỹrnthuật liên quan.

rnrn

Thiết bị đo

rnrn

1) 2 bộ tạo mẫu;

rnrn

2) Bộ phát hiện lỗi;

rnrn

3) Bộ cảm biến và máy đo công suất.

rnrn

Cấu hình đo 1

rnrn

Hình 7.3: Cấu hình đornđộ nhạy cảm nhiễu đồng kênh bên ngoài (cấu hình 1)

rnrn

Thủ tục đo đối với cấu hình 1

rnrn

Trong phép đo này, cả hai máy phát phải phátrntrên cùng một tần số và phải được điều chế bằng các tín hiệu khác nhau có cùngrnđặc tính. Chuyển các máy phát sang chế độ chờ và tháo ống dẫn sóng hoặc cáp tạirnđiểm B(C) (xem hình 7.3). Nối bộ cảm biến công suất và máy đo công suất phùrnhợp. Bật Tx1 và điều chỉnh bộ suy hao 1 để tạo mức tín hiệu phù hợp, khoảng -30rndBm. Bật Tx1 ở chế độ chờ và Tx2 ở chế độ làm việc. Điều chỉnh bộ suy hao 2 để tạorntín hiệu gây nhiễu thấp hơn mức tín hiệu chuẩn, đã được đo trước, bằng tỷ sốrnsóng mang trên nhiễu (C/I) được đưa ra trong chỉ tiêu kỹ thuật. Bật Tx2 ở chếrnđộ chờ.

rnrn

Nối lại máy thu đang thẩm tra, bật Tx1 vàrntăng bộ suy hao đến mức 10^-6 để đạt được yêu cầu theo tiêu chuẩn.rnTăng bộ suy hao 2 bằng mức tăng của bộ suy hao 1, bật Tx2 và ghi lại BER đốirnvới C/I được nêu trong tiêu chuẩn.

rnrn

Giảm bộ suy hao 2 cho đến khi BER của máy thurnbằng giới hạn được đưa ra trong chỉ tiêu kỹ thuật. Tính toán và ghi lại tỷ sốrnC/I.

rnrn

Thủ tục thay thế 1

rnrn

Chú thích: Thủ tục này sử dụng một bộ suy hao bổrnsung giữa bộ kết hợp và máy thu để điều khiển mức tín hiệu mong muốn và khôngrnmong muốn tuyệt đối đi vào máy thu. Chức năng của bộ suy hao 1 và 2 là duy trìrntỷ số C/I chính xác.

rnrn

Cấu hình đo 2

rnrn

Hình 7.4: Cấu hình đornđộ nhạy cảm nhiễu đồng kênh bên ngoài (cấu hình 2)

rnrn

Thủ tục đo đối với cấu hình đo 2

rnrn

Với các máy phát ở chế độ chờ, đặt bộ suy haorn1 và 2 ở mức cực đại, bộ suy hao 3 ở mức 0. Ngắt ống dẫn sóng hoặc cáp tại điểmrnB(C) (xem hình 7.4), nối bộ cảm biến và máy đo công suất phù hợp. Bật Tx1 vàrngiảm bộ suy hao 1 để tạo mức tín hiệu phù hợp, khoảng -30 dBm. Ghi lại mức đornđược. Bật Tx1 ở chế độ chờ và Tx2 ở chế độ làm việc. Giảm bộ suy hao 2 để tạorntín hiệu thấp hơn mức đó đo được trước đó một lượng bằng tỷ số C/I. Tăng bộ suyrnhao 3 để tạo mức vào máy thu mong muốn bằng mức được đưa ra trong chỉ tiêu kỹrnthuật liên quan.

rnrn

Với cả 2 máy phát ở chế độ chờ, ngắt bộ cảmrnbiến công suất và nối lại máy thu đang thẩm tra. Bật cả 2 máy phát trong điềurnkiện điều chế, đo và ghi BER của máy thu trên bộ phát hiện lỗi.

rnrn

Giảm bộ suy hao 2 cho đến khi BER của máy thurnbằng giới hạn được đưa ra trong chỉ tiêu kỹ thuật. Tính toán và ghi lại tỷ sốrnC/I mong muốn và không mong muốn.

rnrn

Phương pháp 2

rnrn

Mục đích

rnrn

Để thẩm tra rằng giá trị C/I cực đại đối vớirnđộ suy giảm 1 dB và 3 dB với BER = 10^-6 và 10^-3 vẫn duyrntrì ở mức thấp hơn giới hạn chỉ tiêu kỹ thuật liên quan khi có nhiễu giống vớirntín hiệu điều chế trên cùng một kênh.

rnrn

Thiết bị đo

rnrn

1) 2 bộ tạo mẫu;

rnrn

2) Bộ phát hiện lỗi;

rnrn

3) Bộ cảm biến và máy đo công suất.

rnrn

Cấu hình đo

rnrn

Xem hình 7.3.

rnrn

Thủ tục đo

rnrn

Trong phép đo này cả hai máy phát phải phátrntrên cùng một kênh và phải được điều chế với các tín hiệu có cùng đặc điểm. Vớirncác máy phát ở chế độ chờ, cả hai bộ suy hao đều được đặt ở mức cực đại.

rnrn

Nối máy đo công suất tại điểm B(C). Bật Tx vàrnđiều chỉnh bộ suy hao 1 để tạo tín hiệu mong muốn tại mức tiêu chuẩn yêu cầu làrn10^-6 (hoặc 10^-3). Giảm bộ suy hao 1 xuống 1 đảm bảo (hoặcrn3 dB) và ghi các tham số thiết lập của bộ suy hao này. Bật bộ tạo nhiễu và giảmrnbộ suy hao 2 để thu được BER = 10^-6 (hoặc 10^-3) trên bộrnphát hiện lỗi. Tắt cả 2 máy phát và ngắt ống dẫn sóng, hoặc cáp, tại điểm B(C),rnxem hình 7.3. Ghi lại các tham số thiết lập của bộ suy hao 2 và nối bộ cảm biếnrnvà máy đo công suất tới ống dẫn sóng hoặc cáp.

rnrn

Bật Tx1 và giảm bộ suy hao 1 để tạo mức tínrnhiệu mong muốn trong dải đã hiệu chuẩn của máy đo công suất. Ghi lại mức côngrnsuất và độ suy giảm suy hao.

rnrn

– Tính công suất_{tín hiệu mong muốn}=rnmức công suất đo được – độ biến đổi suy hao.

rnrn

– Tắt Tx 1, bật Tx 2 và lặp lại thủ tục đo đểrntính công suất_{tín hiệu không mong muốn}

rnrn

Giá trị C/I đồng kênh cực đại đối với độ suyrngiảm 1 dB hoặc 3 dB trên 10^-6 hoặc 10^-3 là:

rnrn

– C/I = công suất_{tín hiệu mong muốn}-rncông suất_{tín hiệu không mong muốn}

rnrn

7.3 Độ nhạy cảm nhiễu kênh lân cận

rnrn

7.3.1 Đối với hệ thống STM-1

rnrn

Các giới hạn nhiễu kênh lân cận phải tuânrntheo bảng 7.4 đối với các tín hiệu điều chế giống nhau cách nhau một kênh, giárntrị C/I cực đại đưa ra đối với độ suy hao 1 dB và 3 dB của giới hạn BER = 10^-6rnđược xác định trong mục 7.1. Các số liệu này liên quan đến thiết bị loại 5 hạngrnA với chỉ tiêu thấp hơn cho phép sử dụng các hệ thống tại môi trường mật độrnthấp.

rnrn

Để phối hợp tần số, các giá trị trung gianrnđược nêu trong hình A.2 (xem Phụ lục A).

rnrn

Bảng 7.4: Độ nhạy cảmrnnhiễu kênh lân cận thứ nhất đối với các hệ thống loại 5 hạng A

rnrn

Độ suy giảm RSLrn theo C/I tại BER = 10^-6

Khoảng cách kênh

Độ suy hao è

1 dB

3 dB

29 MHz đến 30 MHz

8,5

5,5

28 MHz

12,5

9,5

rnrn

Các giới hạn nhiễu đối với kênh lân cận phảirntuân theo bảng 7.4 đối với các tín hiệu điều chế giống nhau cách nhau một kênh,rngiá trị C/I cực đại đưa ra đối với độ suy hao 1 đảm bảo và 3 dB của giới hạnrnBER = 10^-6 được xác định trong mục 7.1. Các số liệu này liên quanrnđến thiết bị loại 5 hạng B với chỉ tiêu kênh lân cận tốt hơn cho phép sử dụngrncác hệ thống tại môi trường mật độ thấp.

rnrn

Để phối hợp tần số, giá trị trung gian đượcrnnêu trong hình A.2.

rnrn

Bảng 7.5: Độ nhạy cảmrnnhiễu kênh lân cận thứ nhất đối với các hệ thống loại 5 hạng B

rnrn

Độ suy giảm RSLrn theo C/I tại BER = 10^-6

Các băng tần

Độ suy hao è

1 dB

3 dB

Tất cả các băng

-1

rnrn

7.3.2 Đối với hệ thống 4xSTM-1 hoặc STM-4

rnrn

Tỷ số tín hiệu trênrnnhiễu [dB]

rnrn

Hình 7.5: Giới hạn độrnnhạy cảm đối với nhiễu số của kênh lân cận tham chiếu tại điểm B’

rnrn

Đối với các băng tần đưa ra trong mục 4.2,rngiới hạn của độ nhạy nhiễu kênh lân cận phải tuân theo hình 7.5.

rnrn

Chú thích: Độ suy giảm mức đầu vào của máy thurnđưa ra trong hình 7.5 liên quan tới các mức đầu vào của máy thu đưa ra trongrnbảng 7.2.

rnrn

7.3.3. Phương pháp đo

rnrn

Có những khác biệt trong một số tiêu chuẩn vềrnyêu cầu đo kiểm độ nhạy cảm đối với nhiễu kênh lân cận. Những thay đổi này đãrnđược tính đến với việc đưa ra các phương pháp đo 1 và 2 cho phép đo thử này.rnĐơn vị đo kiểm có thể áp dụng phương pháp phù hợp với tiêu chuẩn thiết bị liênrnquan.

rnrn

Chú thích 1: Trong nhiều trườngrnhợp tỷ số C/I sẽ mang giá trị âm, vì thế tạo ra mức nhiễu lớn hơn mức tín hiệurnmong muốn.

rnrn

Phương pháp 1

rnrn

Mục đích

rnrn

Để thẩm tra BER tại điểm Z, của máy thu đangrnthẩm tra, vẫn ở mức thấp hơn giới hạn trong chỉ tiêu kỹ thuật liên quan khi córnnhiễu giống với tín hiệu điều chế trên kênh lân cận. Mức tín hiệu mong muốn vàrnnhiễu tại điểm B(C) phải được đặt ở mức đó cho trong chỉ tiêu kỹ thuật liênrnquan.

rnrn

Thiết bị đo

rnrn

Giống phép đo đồng kênh.

rnrn

Cấu hình đo 1

rnrn

Giống phép đo đồng kênh (xem hình 7.3).

rnrn

Thủ tục đo đối với cấu hình đo 1

rnrn

Trong phép đo này, cả hai máy phát phải phátrntrên cùng một tần số và được điều chế bằng các tín hiệu khác nhau có cùng đặcrntính. Chuyển các máy phát sang chế độ chờ và ngắt ống dẫn sóng hoặc cáp tạirnđiểm B(C). Nối bộ cảm biến và máy đo công suất phù hợp. Bật Tx1 và điều chỉnhrnbộ suy hao 1 để tạo mức tín hiệu phù hợp, khoảng -30 dBm. Chuyển Tx1 sang chếrnđộ chờ và Tx2 ở chế độ làm việc. Điều chỉnh bộ suy hao 2 để tạo tín hiệu gâyrnnhiễu thấp hơn mức tín hiệu chuẩn, đã được đo trước, bằng với tỷ số sóng mangrntrên nhiễu (C/I) cho trong chỉ tiêu kỹ thuật. Chuyển Tx2 sang chế độ chờ.

rnrn

Nối lại máy thu đang thẩm tra và tăng cả 2 bộrnsuy hao lên mức đảm bảo mức tín hiệu mong muốn và không mong muốn đi vào máyrnthu tại giá trị chính xác của chúng. Bật và điều chế các máy phát. Ghi lại BERrncủa máy thu.

rnrn

Lặp lại phép đo với máy phát tạo nhiễu đượcrnđiều chỉnh phù hợp với kênh lân cận khác.

rnrn

Thủ tục thay thế 1

rnrn

Chú thích 2: Thủ tục này sử dụngrnmột bộ suy hao bổ sung giữa bộ kết hợp và máy thu để điều khiển mức tín hiệurnmong muốn và không mong muốn tuyệt đối đi vào máy thu. Chức năng của bộ suy haorn1 và 2 là duy trì tỷ số C/I chính xác.

rnrn

Cấu hình đo 2

rnrn

Giống cấu hình đo đồng kênh, thay thế 1 (xemrnHình 7.4).

rnrn

Thủ tục đo đối với cấu hình đo 2

rnrn

Với các máy phát ở chế độ chờ, đặt bộ suy haorn1 và 2 ở mức cực đại, bộ suy hao 3 ở mức 0. Tháo ống dẫn sóng hoặc cáp tại điểmrnB(C) (xem hình 7.4) và nối bộ cảm biến và máy đo công suất phù hợp. Bật Tx1 vàrngiảm bộ suy hao 1 để tạo mức tín hiệu phù hợp, khoảng -30 dBm. Ghi lại mức đornđược. Bật Tx1 ở chế độ chờ và Tx2 ở chế độ làm việc. Giảm bộ suy hao 2 để tạorntín hiệu cao hơn mức đó đo được trước đó một lượng bằng tỷ số C/I. Tăng bộ suyrnhao 3 để tạo mức yêu cầu đưa ra trong chỉ tiêu.

rnrn

Với cả 2 máy phát ở chế độ chờ, ngắt bộ cảmrnbiến công suất và nối máy thu đang thẩm tra. Bật cả 2 máy phát trong điều kiệnrnđiều chế, đo và ghi BER của máy thu trên bộ phát hiện lỗi.

rnrn

Lặp lại phép đo với máy phát tạo nhiễu đượcrnđiều chỉnh phù hợp với kênh lân cận khác.

rnrn

Phương pháp 2

rnrn

Mục đích

rnrn

Để thẩm tra rằng giá trị C/I cực đại đối vớirnđộ suy giảm 1 dB và 3 dB trên BER bằng 10^-6 và 10^-3 vẫnrnduy trì ở mức thấp hơn giới hạn chỉ tiêu kỹ thuật liên quan khi có nhiễu giốngrnvới tín hiệu điều chế trên cùng kênh truyền.

rnrn

Thiết bị đo

rnrn

1) 2 bộ tạo mẫu;

rnrn

2) Bộ phát hiện lỗi;

rnrn

3) Bộ cảm biến và máy đo công suất.

rnrn

Cấu hình đo

rnrn

Xem hình 7.3.

rnrn

Thủ tục đo

rnrn

Khi đo kiểm, Tx2 phải phát trên một trong cácrnkênh lân cận và được điều chế với tín hiệu có cùng đặc tính như tín hiệu điềurnchế mong muốn. Cả 2 máy phát ở chế độ chờ, đặt các bộ suy hao ở giá trị cựcrnđại.

rnrn

Nối máy đo công suất tại điểm B(C). Bật Tx vàrnđiều chỉnh bộ suy hao 1 để tạo tín hiệu mong muốn tại mức tiêu chuẩn yêu cầurncho 10^-6 (hoặc 10^-3). Giảm bộ suy hao 1 xuống 1 đảm bảo (hoặcrn3 dB) và ghi các tham số thiết lập của bộ suy hao này. Bật bộ tạo nhiễu và giảmrnbộ suy hao 2 để thu được BER = 10^-6 (hoặc 10^-3) trên bộrnphát hiện lỗi. Tắt cả 2 máy phát và ngắt ống dẫn sóng, hoặc cáp, tại điểm B(C),rnxem hình 7.3. Ghi lại các tham số thiết lập của bộ suy hao 2 và nối bộ cảm biếnrnvà máy đo công suất tới ống dẫn sóng hoặc cáp.

rnrn

Bật Tx1 và giảm bộ suy hao 1 để tạo mức tínrnhiệu mong muốn trong dải đó hiệu chuẩn của máy đo công suất. Ghi lại mức côngrnsuất và độ suy giảm suy hao.

rnrn

– Tính công suất_{tín hiệu mong muốn}rn= mức công suất đo được – độ biến đổi suy hao.

rnrn

Tắt Tx1, bật Tx2 và lặp lại thủ tục đo đểrntính công suất _{tín hiệu không mong muốn}.

rnrn

Giá trị C/I đồng kênh cực đại đối với độ suyrngiảm 1 dB hoặc 3 dB trên 10^-6 hoặc 10^-3 là:

rnrn

– C/I = công suất _{tín hiệu mong muốn}rn- công suất _{tín hiệu không mong muốn}.

rnrn

Lặp lại phép đo với nhiễu tạo ra trên cácrnkênh lân cận khác.

rnrn

7.4. Nhiễu giả CW

rnrn

7.4.1 Đối với hệ thống STM-1

rnrn

Đối với máy thu hoạt động tại ngưỡng BER = 10^-6rnđưa ra trong bảng 7.1, việc tạo tín hiệu gây nhiễu CW tại mức +30 dB đối vớirntín hiệu mong muốn và tại bất kỳ tần số nào trong dải 30 MHz tới hài bậc 2 củarntần số cao hơn của băng, ngoại trừ các tần số bên cạnh tần số trung tâm mongrnmuốn của kênh RF cho tới 250% khoảng cách kênh, phải không được tạo ra BER lớnrnhơn 10^-5.

rnrn

Chú thích: Khi sử dụng ống dẫn sóng giữa cácrnđiểm tham chiếu A và C, nếu chiều dài ống dẫn sóng lớn hơn bước sóng không gianrntự do của tần số cắt (Fc) 2 lần thì giới hạn dưới của phép đo sẽ tăng 0,7 Fc vàrntăng 0,9 Fc khi độ dài lớn hơn bước sóng 4 lần.

rnrn

Việc đo kiểm này được thực hiện để nhận biếtrntần số xác định tại đó máy thu có đáp ứng giả, ví dụ tần số ảnh, hài của bộ lọcrnthu… Dải đo thực tế phải được điều chỉnh phù hợp. Việc đo kiểm này không đưarnra yêu cầu kỹ thuật cho các tần số ngoài băng được chỉ ra trong tiêu chuẩn này.

rnrn

7.4.2 Phương pháp đo

rnrn

Mục đích

rnrn

Phép đo này dùng để nhận biết các tần số cụrnthể tại đó máy thu có thể có đáp ứng giả, ví dụ: tần số ảnh, đáp ứng hài của bộrnlọc máy thu… Dải tần đo kiểm phải tuân thủ chỉ tiêu kỹ thuật liên quan.

rnrn

Thiết bị đo

rnrn

1) Bộ tạo mẫu;

rnrn

2) Bộ phát hiện lỗi;

rnrn

3) Bộ tạo tín hiệu;

rnrn

4) Bộ cảm biến và máy đo công suất.

rnrn

Cấu hình đo

rnrn

Hình 7.6: Cấu hình đornnhiễu giả CW

rnrn

Thủ tục đo

rnrn

Ngắt đầu ra bộ tạo tín hiệu, đo công suất rarnRF của máy phát tại điểm B(C) bằng cách sử dụng bộ cảm biến công suất phù hợp,rnvới mức suy hao cho trước. Thay bộ cảm biến công suất bằng máy thu đang thẩmrntra, và tăng mức suy hao cho đến khi đạt mức yêu cầu theo tiêu chuẩn. Ghi lạirnmức BER cho mức máy thu (dBm).

rnrn

Tắt máy phát, thay máy thu đang thẩm tra bằngrnbộ cảm biến công suất. Hiệu chỉnh bộ tạo tín hiệu theo dải tần yêu cầu của tiêurnchuẩn tại mức x dB trên mức tính theo (dBm), trong đó x là mức tăng của tínrnhiệu CW nhiễu.

rnrn

Thay bộ cảm biến công suất bằng máy thu đangrnthẩm tra và đảm bảo mức BER không bị thay đổi. Quét bộ tạo tín hiệu theo dảirntần yêu cầu tại mức chuẩn, quan tâm đến băng ngoại trừ được chỉ ra trong tiêurnchuẩn liên quan.

rnrn

Ghi lại các tần số bất kỳ tạo ra BER vượt quárnmức yêu cầu của tiêu chuẩn. Khuyến nghị rằng giá trị chuẩn phải được kiểm trarnlại tại các tần số này.

rnrn

Chú thích 1: Việc sử dụng bộ tạorntín hiệu theo bước cho phép tạo ra kích thước bước lớn hơn hoặc bằng 1/3 độrnrộng băng của máy thu đang thẩm tra.

rnrn

Chú thích 2: Phép đo này có thểrnyêu cầu sử dụng các bộ lọc thông thấp tại đầu ra của bộ tạo tín hiệu để tránhrncác hài của bộ tạo tín hiệu đưa vào băng ngoại trừ của máy thu.

rnrn

7.5. Phát xạ giả

rnrn

Phát xạ giả từ máy thu là những phát xạ tạirnbất kỳ tần số nào, đo được tại điểm C.

rnrn

Phát xạ giả từ máy thu cần được xác định bởirn02 lý do:

rnrn

a) Để hạn chế nhiễu đi vào các hệ thống khácrnđang hoạt động nằm ngoài hệ thống đang xem xét (phát xạ bên ngoài), các giớirnhạn này được tham chiếu tại Khuyến nghị CEPT/ERC 74-01 [6];

rnrn

b) Để hạn chế nhiễu nội bên trong hệ thốngrnnơi mà các máy phát và máy thu được kết nối thông qua các bộ lọc và các hệrnthống phân nhánh.

rnrn

Điều này dẫn đến: có hai nhóm giới hạn phátrnxạ giả, trong đó: các giới hạn xác định đối với nhiễu “nội” phải nhỏ hơn hoặcrnbằng các giới hạn của nhiễu “ngoại”.

rnrn

7.5.1. Phát xạ giả bên ngoài

rnrn

Tại điểm tham chiếu C phải áp dụng các giárntrị giới hạn trong Khuyến nghị CEPT/ERC 74-01 [6].

rnrn

7.5.2. Phát xạ giả nội

rnrn

7.5.2.1. Đối với hệ thống STM-1

rnrn

Các giới hạn phát xạ giả, tham chiếu tại điểmrnB, được quy định trong bảng 7.6.

rnrn

Mức yêu cầu sẽ bằng mức trung bình cộng củarnphát xạ đang xem xét.

rnrn

Bảng 7.6: Giới hạnrncủa phát xạ giả nội

rnrn

Giới hạn quy định

Hệ số điều khiển

≤ -110 dBm

Tạp nằm trong nửa băng tần máy thu

Đối với các hệ thống có các yêu cầu tươngrn thích như trong Phụ lục C.2

≤ -90 dBm

Tạp nằm trong nửa băng tần máy thu

Đối với các hệ thống có các yêu cầu tươngrn thích như trong Phụ lục C.3

rnrn

Đối với các hệ thống không cần tương thíchrnvới các yêu cầu của Phụ lục C thì không yêu cầu.

rnrn

Ngoài ra, khi yêu cầu tương thích với các hệ thốngrnFDM trên cùng hệ thống phân nhánh/ăng ten và các thiết bị số sử dụng tần sốrntrung tần 70 MHz, thì Các phát xạ dư LO, tại điểm tham chiếu B, phải:

rnrn

– ≤ -125 dBm: đối với các hệ thống có các yêurncầu tương thích trong Phụ lục C.2 trong băng 7 GHz;

rnrn

– ≤ -110 dBm: đối với các hệ thống có các yêurncầu tương thích trong Phụ lục C.2 trong mọi băng khác và đối với các hệ thốngrncó yêu cầu tương thích trong Phụ lục C.3 trong mọi băng.

rnrn

7.5.2.2. Đối với hệ thống 4xSTM-1 hoặc STM-4

rnrn

Phát xạ giả nằm trong nửa băng của máy thurnphải nhỏ hơn hoặc bằng -110 dBm (tham chiếu tại điểm B).

rnrn

7.5.3. Phương pháp đo

rnrn

Sử dụng phương pháp đo giống như mục 5.4.1.3.rnMức phát xạ giả từ máy phát và máy thu của thiết bị song công sử dụng cổngrnchung được đo đồng thời và phép đo chỉ cần thiết thực hiện một lần.

rnrn

Mục đích

rnrn

Để thẩm tra phát xạ giả từ máy thu vẫn nằmrntrong giới hạn cho phép.

rnrn

PHỤrnLỤC A

rnrn

(Tham khảo)

rnrn

Thôngrntin bổ sung

rnrn

A.1. Phân cực chéo (XPD)

rnrn

XPD hiệu dụng đo được trên một chặng điểnrnhình (50 km tại các tần số thấp hơn 10 GHz, 25 km tại 3 GHz và 18 km tại 15rnGHz) trong điều kiện không có pha đinh phải nhỏ hơn 28 dB.

rnrn

A.2. Các yêu cầu phân nhánh/phi đơ/ăng ten

rnrn

Thiết bị theo tiêu chuẩn này cũng có thể córncấu hình hệ thống với ăng ten tích hợp hoặc rất nhiều giải pháp kỹ thuật tươngrntự, không có kết nối phi đơ dài; các yêu cầu sau đây không được coi là các yêurncầu thiết yếu.

rnrn

Khi ăng ten là một phần tích hợp của thiết bịrnthì sẽ không có yêu cầu nào.

rnrn

A.2.1 Suy hao phản xạ

rnrn

Đối với các hệ thống tuân thủ các yêu cầurntương thích trong Phụ lục C, suy hao phản xạ cực tiểu bằng 26 dB tại điểm C vàrnC’ trên toàn dải RF và được đo theo hướng ăng ten. Trong cùng điều kiện, đốirnvới các hệ thống không tuân thủ các yêu cầu tương thích trong phụ lục C và sửrndụng kết nối phi đơ “dài”, suy hao phản xạ cực tiểu bằng 20 dB.

rnrn

A.2.2 Các thành phần xuyên điều chế

rnrn

Mỗi thành phần xuyên điều chế gây nên bởi cácrnmáy phát khác nhau kết nối tại điểm C’ tới bộ đo kiểm có suy hao phản xạ lớnrnhơn 23 dB được giả thiết nhỏ hơn -110 dBm tham chiếu tại điểm B’ với công suấtrnra của mỗi máy phát khoảng 28 dBm.

rnrn

A.2.3 Phân tích giữa các cổng

rnrn

Giá trị này phải nhỏ hơn 40 dB.

rnrn

A.3. Điều khiển công suất phát tự động (ATPC)

rnrn

ATPC có thể được sử dụng trong một số trườngrnhợp, ví dụ:

rnrn

– Để giảm nhiễu giữa các hệ thống gần kề hoặcrngiữa các kênh lân cận của cùng một hệ thống;

rnrn

– Để cải thiện tính tương thích với các hệrnthống tương tự và số tại các trạm nút;

rnrn

– Để cải thiện chỉ tiêu BER hoặc RBER dư;

rnrn

– Để giảm các vấn đề tăng pha đinh;

rnrn

– Để giảm công suất tiêu thụ của máy phát;

rnrn

– Để giảm nhiễu khoảng cách số-số và số-tươngrntự giữa các chặng sử dụng lại tần số;

rnrn

– Để tăng tăng ích hệ thống chống lại suy haorndo mưa.

rnrn

ATPC là tính năng tùy chọn, được sử dụng đểrnđiều khiển mức ra bộ khuếch đại công suất từ giá trị cực tiểu thích hợp, phùrnhợp với các yêu cầu kế hoạch mạng và được sử dụng trong điều kiện đường truyềnrnbình thường, đến giá trị cực đại, đáp ứng đầy đủ mọi chỉ tiêu kỹ thuật xác địnhrntrong tiêu chuẩn này.

rnrn

Dải ATPC không được vượt quá 25 dB. Khi córnyêu cầu tương thích với các hệ thống tương tự, mức ra nhỏ nhất của bộ khuếchrnđại công suất không được nhỏ hơn +10 dBm vì giá trị này có thể dẫn đến giảm dảirnATPC.

rnrn

Để lập kế hoạch trong môi trường nút, hệrnthống có ATPC có thể xem xét để hoạt động với công suất phát cực tiểu.

rnrn

Khi ATPC là đặc tính cố định, dải ATPC đượcrnxác định là khoảng công suất cách đều nhau từ mức công suất ra cực đại (bao gồmrncả dung sai) đến mức công suất ra cực tiểu (tại điểm tham chiếu B’) có ATPC.rnKhi ATPC là tùy chọn, có thể xác định hai dải: “dải dưới” (down-range) từ mứcrndanh định đến mức cực tiểu (bao gồm cả dung sai) và “dải trên” (up-range) từrnmức danh định đến mức cực đại (bao gồm cả dung sai).

rnrn

A.4. RBER (đối với hệ thống STM-1)

rnrn

Trong các ứng dụng thực tế, khi mật độ tuyếnrnvô tuyến trong khu vực cụ thể cao, ví dụ trạm nút, các máy thu vô tuyến phân bổrngần nhau có thể sử dụng các kênh lân cận. Vì thế, để đảm bảo cấp độ dịch vụ,rnthiết bị phải đáp ứng chỉ tiêu RBER khi có nhiễu của kênh lân cận.

rnrn

RBER được chuẩn hóa để phù hợp với chỉ tiêurnESR (hoặc BBER) theo yêu cầu trong các Khuyến nghị ITU-R về chỉ tiêu đườngrntruyền.

rnrn

Để phép đo có đủ độ tin cậy, khi BER tươngrnđối thấp so với tải thực tế, thì thời gian đo phải rất dài. Quá trình đo và cácrngiá trị BER được trình bày chi tiết trong TR 101 036-1 [5].

rnrn

Khi có tính năng hiệu chỉnh lỗi, có thể giảmrnthời gian đo bằng cách ước lượng RBER theo công thức liên quan do nhà cung cấprncông bố.

rnrn

Một lựa chọn khác là để bảo đảm rằng lỗirnkhông xuất hiện trong thời gian ghi cực tiểu theo bảng A.1.

rnrn

Bảng A.1: Thời gianrnghi lỗi không

rnrn

Tốc độ bit đangrn thẩm tra [Mbit/s]

Thời gian ghi cựcrn tiểu [phút]

Lỗi

140/155

108

rnrn

A.5. Nhiễu đồng kênh và kênh lân cận

rnrn

Chỉ tiêu đối với nhiễu đồng kênh và kênh lânrncận được phân cách bằng một khoảng cách kênh C/I được đưa ra trong các mụcrn8.3.1 và 8.3.2 tương ứng, chỉ đối với độ suy giảm 1 dB và 3 dB; hình A.1 và A.2rnbiểu thị đặc trưng nhiễu đối với các giá trị suy giảm khác.

rnrn

Mức vào máy thu tại điểm tham chiếu C tươngrnứng với ngưỡng BER = 10^-6 (X) như qui định trong mục 7.1.1.

rnrn

Hình A.1: Độ suy giảmrnngưỡng đối với nhiễu đồng kênh

rnrn

Mức vào máy thu tại điểm tham chiếu C tươngrnứng với ngưỡng BER = 10^-6 (X) như qui định trong mục 7.1.1.

rnrn

Hình A.2: Độ suy giảmrnngưỡng đối với nhiễu kênh lân cận thứ nhất của hệ thống loại 5 hạng A

rnrn

rnrnMức vào máy thu tạirnđiểm tham chiếu C tương ứng với ngưỡng BER =10^-6 (X) như qui định trong mục 7.1.1.

rnrn

Hình A.3: Độ suy giảmrnngưỡng đối với nhiễu kênh lân cận thứ nhất của hệ thống loại 5 hạng B

rnrn

PHỤrnLỤC B

rnrn

(Tham khảo)

rnrn

Độrnnhạy cảm méo đối với các máy thu phân tập

rnrn

Mục đích

rnrn

Phép đo này áp dụng cho các hệ thống có sửrndụng kỹ thuật kết hợp phân tập.

rnrn

Phép đo này xác minh sự miễn nhiễm của thiếtrnbị đối với méo đường truyền.

rnrn

Cấu hình đo phù hợp với thiết bị có giao diệnrnIF tại đầu ra bộ điều chế; tuy nhiên có thể được mở rộng tới mức RF, miễn là córnsẵn các bộ mô phỏng pha đinh RF.

rnrn

Các phép đo được thực hiện bằng cách sử dụngrnbộ mô phỏng pha đinh hai tia tại mức RF đối với mỗi đầu vào của hai máy thurn(chính và phân tập).

rnrn

Một vài cách đơn giản hóa có thể được thựcrnhiện tùy thuộc việc triển khai thực tế của máy thu phân tập.

rnrn

Thiết bị đo

rnrn

1) Bộ tạo mẫu/Bộ phát hiện lỗi;

rnrn

2) Bộ mô phỏng pha đinh.

rnrn

Cấu hình đo

rnrn

Hình B.1: Cấu hình đornđộ nhạy cảm méo đối với các máy thu phân tập

rnrn

Thủ tục đo

rnrn

Nối đầu ra bộ tạo mẫu tới đầu vào BB Tx. Điềurnkhiển 2 bộ mô phỏng pha đinh (trễ 6,3 ns) để tạo sméo đa đường (khe). Tạo cácrnhọ chữ ký giả trên cơ sở các lỗi tìm thấy tại đầu ra BB Rx trong điều kiện sau:

rnrn

a) Điều khiển bộ mô phỏng pha đinh trên đườngrnRx chính để có điều kiện phẳng (không méo); điều khiển bộ mô phỏng pha đinhrntrên đường Rx phân tập để có khe (tại bước 1 MHz), tăng và giảm tần số trongrnbăng tín hiệu điều chế; thay đổi độ sâu của (các) khe từ 10 dB đến 30 dB theorntừng bước 1 dB, với các điều kiện pha cực tiểu và không cực tiểu. Điều khiển độrnsuy hao của các bộ suy hao biến đổi, và lặp lại phép đo tại mức tín hiệu thurnkhác;

rnrn

b) Thay đổi trạng thái, có một khe trên đườngrnRx chính và điều kiện phẳng trên đường Rx phân tập;

rnrn

c) Điều khiển bộ mô phỏng pha đinh trên đườngrnRx chính và trên đường Rx phân tập để có khe; thay đổi tần số của một khe (theornbước 1 MHz) bằng cách tăng hoặc giảm tần số trong băng tín hiệu điều chế và giữrnở vị trí cố định khoảng 1 giây, và thay đổi độ sâu của (các) khe từ 10 dB đếnrn30 dB theo các bước 1 dB, với điều kiện pha cực tiểu và không cực tiểu. Điềurnkhiển độ suy giảm của các bộ suy hao biến đổi, lặp lại phép đo tại mức tín hiệurnthu khác.

rnrn

PHỤrnLỤC C

rnrn

(Quy định)

rnrn

Yêurncầu tương thích giữa các hệ thống

rnrn

Đối với hệ thống STM-1

rnrn

Yêu cầu tương thích giữa các hệ thống nhưrnsau:

rnrn

C.1. Không yêu cầu hoạt động giữa thiết bịrnphát của một nhà sản xuất với thiết bị thu của nhà sản xuất khác;

rnrn

C.2 Có thể yêu cầu kết hợp thiết bị của nhiềurnnhà sản xuất khác nhau trên cùng một phân cực của cùng một ăng ten;

rnrn

C.3 Có thể yêu cầu kết hợp thiết bị của nhiềurnnhà sản xuất khác nhau trên phân cực khác nhau của cùng một ăng ten. Yêu cầurnnày không áp dụng đối với các hệ thống có ăng ten tích hợp.

rnrn

Đối với hệ thống 4xSTM-1 hoặc STM-4

rnrn

Không yêu cầu hoạt động giữa thiết bị phátrncủa một nhà sản xuất với thiết bị thu của nhà sản xuất khác.

rnrn

PHỤrnLỤC D

rnrn

(Tham khảo)

rnrn

Yêurncầu về chỉ tiêu và tính khả dụng

rnrn

Đối với hệ thống STM-1

rnrn

Thiết bị phải được thiết kế để đáp ứng cácrnyêu cầu về tính khả dụng và chất lượng mạng theo Khuyến nghị ITU-T G.826 vàrnG.827 tiếp sau các tiêu chí đó được xác định trong Khuyến nghị ITU-R F.1092-1rnvà F.1189-1 đối với các tuyến truyền dẫn số quốc tế và quốc gia.

rnrn

Đối với hệ thống 4xSTM-1 hoặc STM-4

rnrn

Thiết bị phải được thiết kế để đáp ứng cácrnyêu cầu về tính khả dụng và chất lượng mạng theo Khuyến nghị F.695, F.1092-1,rnF.1189-1 và F.557-4 tiếp sau các tiêu chí đó được xác định trong Khuyến nghịrnG.826 và G.827 đối với các tuyến truyền dẫn số quốc tế và quốc gia.

rnrn

Việc thiết kế tuyến theo chỉ tiêu được thừarnnhận và những tiêu chí thiết kế cơ bản nêu trong các Khuyến nghị ITU-R F.752-1,rnF.1093-1, F.1101, F.1092-1 và F.1189-1 được áp dụng.

rnrn

PHỤrnLỤC E

rnrn

(Quy định)

rnrn

Điềurnkiện môi trường

rnrn

Thiết bị phải thỏa mãn các điều kiện môirntrường đưa ra trong ETS 300 019 [1] quy định các khu vực có mái che và không córnmái che, loại khí hậu và các điều kiện nghiêm ngặt về đo kiểm.

rnrn

Nhà sản xuất phải công bố thiết bị được thiếtrnkế phù hợp với loại khí hậu nào.

rnrn

E.1. Thiết bị trong khu vực có mái che (khurnvực trong nhà)

rnrn

Thiết bị hoạt động trong những khu vực điềurnkhiển được nhiệt độ hoặc một phần nhiệt độ phải phù hợp với các yêu cầu củarnloại 3.1 và 3.2 tương ứng trong ETS 300 019 [1].

rnrn

Có thể tùy chọn áp dụng các yêu cầu chặt chẽrnhơn của loại 3.3, 3.4 và 3.5 trong ETS 300 019 [1].

rnrn

Chú thích: Theo ETS 300 019-1-3 và ETS 300rn019-1-4:

rnrn

Loại 3.1: Những khu vực điều khiển được nhiệtrnđộ.

rnrn

Loại 3.2: Những khu vực điều khiển được mộtrnphần nhiệt độ.

rnrn

Loại 3.3: Những khu vực không điều khiển đượcrnnhiệt độ.

rnrn

Loại 3.4: Những khu vực có giữ nhiệt.

rnrn

Loại 3.5: Những khu vực che chắn được mưarngió.

rnrn

Bảng E.1: Các tham sốrnkhí hậu đối với các loại môi trường từ 3.1 đến 3.5

rnrn

Tham số môi trường

Đơn vị

Loại

3.1

3.2

3.3

3.4

3.5

Chuẩn

Ngoại lệ (E)

Nhiệt độ không khí thấp

^OC

-5

-25

-40

Nhiệt độ không khí cao

^OC

+40

+45

+55

+70

+40 xem chú thích 5

Độ ẩm tương đối thấp

%RH

Độ ẩm tương đối cao

%RH

100

Độ ẩm tuyệt đối thấp

g/m³

0,5

0,1

Độ ẩm tuyệt đối cao

g/m³

Tốc độ thay đổi nhiệt độ (xem chú thích 1)

^OC/phút

0,5

1,0

áp suất không khí thấp

kPa

áp suất không khí cao (xem chú thích 2)

kPa

106

Bức xạ mặt trời

W/m²

700

1 120

–

Bức xạ nhiệt

W/m²

600

600 xem chú thích 4

Tốc độ chuyển động không khí

m/s

Chú thích 1: Tính trung bìnhrn trong một chu kỳ 5 phút.

Chú thích 2: Không tính đến cácrn điều kiện trong các hầm mỏ.

Chú thích 3: Hệ thống làm lạnhrn không dựa trên hiện tượng đối lưu có thể bị ảnh hưởng bởi dòng không khírn ngược.

Chú thích 4: Chỉ mang tính tạmrn thời.

Chú thích 5: Không tồn tại bứcrn xạ mặt trời trực tiếp và các điều kiện có giữ nhiệt.

Chú thích 6: Ảnh hưởng thứ cấprn của bức xạ mặt trời.

rnrn

Đối với thiết bị được thiết kế để sử dụng cốrnđịnh trong môi trường có mái che (khu vực trong nhà), chỉ áp dụng các loại khírnhậu 3.1 và 3.2.

rnrn

Cần chú ý rằng, các tủ vô tuyến được cung cấprntheo hệ thống sẽ tạo thành những thiết bị bảo vệ thời tiết của chính nó để bảornvệ hoàn toàn khỏi mưa gió. Vì thế, loại khí hậu 3.3, 3.4 và 3.5 có thể áp dụngrnđược cho thiết bị đặt ngoài nhà.

rnrn

PHỤrnLỤC F

rnrn

(Tham khảo)

rnrn

Nguồnrncung cấp

rnrn

Giao diện của nguồn cung cấp phải phù hợp vớirncác chỉ tiêu kỹ thuật của một hoặc nhiều điện áp thứ cấp theo ETS 300 132-1 [2]rnvà ETS 300 132-2 [3].

rnrn

Bảng F.1

rnrn

48 V DC

-40,5

-57,0

V DC

60 V DC

-50

-72

V DC

220 V AC

207

253

V AC/50 Hz ± 2Hz

rnrn

Đối với các hệ thống một chiều, cực dương củarnnguồn cung cấp phải nối đất.

rnrn

Chú thích: Một vài ứng dụng có thể yêu cầu cácrnđiện áp thứ cấp không nằm trong ETS 300 132-1 [2] và ETS 300 132-2 [3].

rnrn

PHỤrnLỤC G

rnrn

(Quy định)

rnrn

Tươngrnthích điện từ

rnrn

Thiết bị phải hoạt động trong những điều kiệnrnđược chỉ ra trong EN 300 385 [4], TCN 68 – 192: 2003 [16] hoặc trong các phầnrnliên quan của tiêu chuẩn EN 489-1 [9] và EN 301 489-4 [10].

rnrn

PHỤrnLỤC H

rnrn

(Tham khảo)

rnrn

Giaorndiện mạng quản lý viễn thông (TMN)

rnrn

Đối với thiết bị SDH, các yêu cầu chung đốirnvới chức năng và giao diện TMN được quy định trong:

rnrn

• EN 300 417-1-1, EN 300 417-2-1, EN 300rn417-3-1, EN 300 417-4-1, EN 300 417-5-1, EN 300 417-6-1, EN 301 167, ETS 300rn635 và EN 300 645, Khuyến nghị ITU-T G.784 và G.773, Khuyến nghị ITU-R F.750-3rnvà F.751-2.

rnrn

Chú thích: Việc chuẩn hóa chức năng giao diệnrnTMN đang được nghiên cứu trong ETSI TMN và sẽ được áp dụng đối với các hệ thốngrnvô tuyến chuyển tiếp được xem xét trong Tiêu chuẩn này.

rnrn

PHỤrnLỤC K

rnrn

(Qui định)

rnrn

Băngrntần và phân kênh

rnrn

Theo “Qui hoạch kênh tần số vô tuyến điện củarnViệt Nam cho các nghiệp vụ cố định và lưu động mặt đất (30-30000 MHz)” [14]:

rnrn

Băng tần 4 GHz (Tần số từ 3 800 đến 4 200rnMHz)

rnrn

Công thức tính tần số trung tâm của các kênhrnchính (MHz):

rnrn

f_n = f₀ – 208 + 29nrn (MHz)

f₀ = 4003,5 MHz

f’_n = f₀ + 5 + 29nrn (MHz)

n = 1, 2, 3, 4, 5, 6.

rnrn

Hình 1: Phân kênh tầnrnsố trong băng tần 4 GHz

rnrn

Băng tần 5 GHz (Tần số từ 4 400 đến 5 000rnMHz)

rnrn

Công thức tính tần số trung tâm của các kênhrnchính (MHz):

rnrn

f_n = f₀ – 310 + 40nrn (MHz)

f₀ = 4 700 MHz

f’_n = f₀ – 10 + 40nrn (MHz)

n = 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7.

rnrn

Hình 2: Phân kênh tầnrnsố trong băng tần 5 GHz

rnrn

Băng tần L6 GHz (Tần số từ 5 925 đến 6 425rnMHz)

rnrn

Công thức tính tần số trung tâm của các kênhrnchính (MHz):

rnrn

f_n = f₀ – 259,45 +rn 29,65n (MHz)

F₀ = 6770 MHz

f’_n = f₀ – 7,41 +rn 29,65n (MHz)

n = 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8.

rnrn

Hình 3: Phân kênh tầnrnsố trong băng tần L6 GHz

rnrn

Băng tần U6 GHz (Tần số từ 6 425 đến 7 110rnMHz)

rnrn

Công thức tính tần số trung tâm của các kênhrnchính (MHz):

rnrn

f_n = f₀ – 350 + 40nrn (MHz)

f₀ = 6770 MHz

f’_n = f₀ – 10 + 40nrn (MHz)

n = 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8.

rnrn

Hình 4: Phân kênh tầnrnsố trong băng tần U6 GHz

rnrn

Băng tần 7 GHz (Tần số từ 7 110 đến 7 425rnMHz)

rnrn

Công thức tính tần số trung tâm của các kênhrnchính (MHz):

rnrn

f_n = f₀ – 175 + 28nrn (MHz)

f₀ = 7275 MHz

f’_n = f₀ – 14 + 28nrn (MHz)

n = 1, 2, 3, 4, 5.

rnrn

Hình 5: Phân kênh tầnrnsố trong băng tần 7 GHz

rnrn

Băng tần 8 GHz (Tần số từ 7 725 đến 8 275rnMHz)

rnrn

Công thức tính tần số trung tâm của các kênhrnchính (MHz):

rnrn

f_n = f₀ – 281,95 +rn 29,65n (MHz)

f₀ = 8000 MHz

f’_n = f₀ + 29,37 +rn 29,65n (MHz)

n = 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8.

rnrn

Hình 6: Phân kênh tầnrnsố trong băng tần 8 GHz

rnrn

Băng tần 11 GHz (Tần số từ 10 700 đến 11 700rnMHz)

rnrn

Công thức tính tần số trung tâm của các kênhrnchính (MHz):

rnrn

f₀ = f₀ – 545 + 40nrn (MHz)

f₀ = 11200 MHz

f’_n = f₀ – 15 + 40nrn (MHz)

n = 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12.

rnrn

Hình 7: Phân kênh tầnrnsố trong băng tần 11 GHz

rnrn

Băng tần 13 GHz (Tần số từ 12 750 đến 13 250rnMHz)

rnrn

Công thức tính tần số trung tâm của các kênhrnchính (MHz):

rnrn

f_n = 12737 + 28n (MHz)

rnrn

n = 1, 2, 3,…18.

rnrn

Hình 8: Phân kênh tầnrnsố trong băng tần 13 GHz

rnrn

Băng tần 15 GHz (Tần số từ 14 500 đến 15 350rnMHz)

rnrn

Công thức tính tần số trung tâm của các kênhrnchính (MHz):

rnrn

f_n = f_r + 2786 + 28nrn (MHz)

f₀ = 11701 MHz

f’n = f_r + 3206 + 28n (MHz)

n = 1, 2, 3,…15.

rnrn

Bảng tần số trung tâmrncác kênh chính

rnrn

Kênh

Tần số thu/phát (MHz)

Tần số phát/thu (MHz)

Kênh

Tần số thu/phát (MHz)

Tần số phát/thu (MHz)

14515

14935

14739

15159

14543

14963

14767

15187

14571

14991

14795

15215

14599

15019

14823

15243

14627

15047

14851

15271

14655

15075

14879

15299

14683

15103

14907

15327

14711

15131

rnrn

Hình 9: Phân kênh tầnrnsố trong băng tần 15 GHz

rnrn

PHỤrnLỤC L

rnrn

(Qui định)

rnrn

Bảngrntóm tắt các yêu cầu kỹ thuật

rnrn

Bảng L.1: Bảng tómrntắt các yêu cầu kỹ thuật đối với hệ thống DFRS điểm – điểm (có ăng ten tíchrnhợp) trong các băng tần yêu cầu phối hợp

rnrn

Tóm tắt yêu cầu kỹrn thuật

Các yêu cầu đối với máy phát

Mục (EN 301 751)

Các yêu cầu kỹrn thuật (Chú thích 1)

Điều kiện

Ghi chú

Mục (TCN)

4.5.1

Dung sai tần số vô tuyến

5.1

4.5.2

Dải công suất phát

5.2

4.5.3.1

Công suất kênh lân cận – Mặt nạ phổ và vạchrn phổ tại tốc độ ký hiệu

5.3.1 và 5.3.2

4.5.3.2

Công suất kênh lân cận – Điều khiển côngrn suất phát từ xa (RTPC)

5.3.3

4.5.4

Phát xạ giả

5.4

4.5.5.1

Quá độ tức thời của máy phát – Điều khiểnrn công suất phát tự động (ATPC)

5.5.1

4.5.5.2

Quá độ tức thời của máy phát – Điều khiểnrn tần số từ xa (RFC)

5.5.2

Các yêu cầu về định hướng ăng ten

Mục (EN 301 751)

Yêu cầu kỹ thuật (Chú thích 1)

Điều kiện

Ghi chú

Mục (TCN)

4.6.1

Mật độ EIRP lệch trục – Đường bao mẫu bứcrn xạ (RPE)

Chỉ áp dụng đối với thiết bị có ăng tenrn tích hợp

6.1

4.6.2

Tăng ích ăng ten

Chỉ áp dụng đối với thiết bị có ăng tenrn tích hợp

6.2

4.6.3

Phân cực chéo của ăng ten (XPD)

Chỉ áp dụng đối với thiết bị có ăng tenrn tích hợp

6.3

Các yêu cầu đối với máy thu

Mục (EN 301 751)

Các yêu cầu kỹ thuật (Chú thích 1)

Điều kiện

Ghi chú

Mục (TCN)

4.7.1

BER là hàm của mức vào máy thu (RSL)

7.1

4.7.2

Độ nhạy cảm nhiễu đồng kênh

7.2

4.7.3

Độ nhạy cảm nhiễu kênh lân cận

7.3

4.7.4

Đặc tính chặn (Nhiễu tạp CW)

7.4

4.7.5

Phát xạ giả

7.5

rnrn

Bảng L.2: Bảng tómrntắt các yêu cầu kỹ thuật đối với hệ thống DFRS điểm – điểm (có ăng ten tíchrnhợp) trong các băng tần không yêu cầu phối hợp

rnrn

Tóm tắt yêu cầu kỹrn thuật

Các yêu cầu đối với máy phát

Mục (EN 301 751)

Các yêu cầu kỹrn thuật (Chú thích 1)

Điều kiện

Ghi chú

Mục (TCN)

4.5.1

Dung sai tần số vô tuyến

5.1

4.5.2

Dải công suất phát

5.2

4.5.3.1

Công suất kênh lân cận – Mặt nạ phổ và vạchrn phổ tại tốc độ ký hiệu

5.3.1 và 5.3.2

4.5.3.2

Công suất kênh lân cận – Điều khiển côngrn suất phát từ xa (RTPC)

5.3.3

4.5.4

Phát xạ giả

5.4

4.5.5.1

Quá độ tức thời của máy phát – Điều khiểnrn công suất phát tự động (ATPC)

5.5.1

4.5.5.2

Quá độ tức thời của máy phát – Điều khiểnrn tần số từ xa (RFC)

5.5.2

Các yêu cầu về định hướng ăng ten

Mục (EN 301 751)

Yêu cầu kỹ thuậtrn (Chú thích 1)

Điều kiện

Ghi chú

Mục (TCN)

4.6.1

Mật độ EIRP lệch trục – Đường bao mẫu bứcrn xạ (RPE)

Chỉ áp dụng đối với thiết bị có ăng tenrn tích hợp

6.1

Các yêu cầu đối với máy thu

Mục (EN 301 751)

Các yêu cầu kỹrn thuật (Chú thích 1)

Điều kiện

Ghi chú

Mục (TCN)

4.7.5

Phát xạ giả

7.5

Các yêu cầu về chức năng điều khiển và giámrn sát

Mục (EN 301 751)

Các yêu cầu kỹ thuật (Chú thích 1)

Điều kiện

Ghi chú

Mục (TCN)

4.8.1

Giao thức phân chia – Yêu cầu tránh nhiễu

Chỉ áp dụng đối với thiết bị hoạt động tạirn băng tần 58 GHz

rnrn

Bảng L.3: Bảng tómrntắt các yêu cầu kỹ thuật đối với hệ thống DFRS điểm – điểm có ăng ten độc lập

rnrn

Tóm tắt yêu cầu kỹrn thuật

Các yêu cầu về định hướng ăng ten

Mục (EN 301 751)

Các yêu cầu kỹrn thuật (Chú thích 1)

Điều kiện

Ghi chú

Mục (TCN)

4.6.1

Mật độ EIRP lệch trục – Đường bao mẫu bứcrn xạ (RPE)

6.1

4.6.2

Tăng ích ăng ten

Chỉ áp dụng đối với các băng tần yêu cầurn phối hợp

6.2

4.6.3

Phân cực chéo của ăng ten (XPD)

Chỉ áp dụng đối với các băng tần yêu cầurn phối hợp

6.3

rnrn

Chú thích:

rnrn

M: Bắt buộc, phải thực hiện trong mọi trườngrnhợp.

rnrn

O: Tùy chọn, có thể được cung cấp, nhưng nếurnđược cung cấp phải thực hiện theo các yêu cầu.

rnrn

TÀIrnLIỆU THAM KHẢO

rnrn

[1] ETSI ETS 300 019 (all parts): "EquipmentrnEngineering (EE); Environmental conditions and environmental tests forrntelecommunications equipment".

rnrn

[2] ETSI ETS 300 132-1: "EquipmentrnEngineering (EE); Power supply interface at the input to telecommunicationsrnequipment; Part 1: Operated by alternating current (AC) derived from directrncurrent (dc) sources".

rnrn

[3] ETSI ETS 300 132-2: "EquipmentrnEngineering (EE); Power supply interface at the input to telecommunicationsrnequipment; Part 2: Operated by direct current (DC)".

rnrn

[4] ETSI EN 300 385: "Electromagnetic compatibilityrnand Radio spectrum Matters (ERM); ElectroMagnetic Compatibility (EMC) standard forrnfixed radio links and ancillary equipment".

rnrn

[5] ETSI TR 101 036-1: "Fixed Radio Systems;rnPoint-to-point equipment; Generic wordings for standards on digital radio systemsrncharacteristics; Part 1: General aspects and point-to-point equipmentrnparameters".

rnrn

[6] CEPT/ERC Recommendation 74-01:rn"Spurious emissions".

rnrn

[7] ITU-T Recommendation O.181 (1996):rn"Equipment to assess error performance on STM-N interfaces".

rnrn

[8] CEPT/ERC Recommendation T/L 04-04: "Harmonizationrnof 140 Mbps digital radio relay systems for operation below 10 GHz utilizing 64rnQAM at about 30 MHz spacing".

rnrn

[9] ETSI EN 301 489-1: "Electromagnetic compatibilityrnand Radio spectrum Matters (ERM); ElectroMagnetic Compatibility (EMC) standard forrnradio equipment and services; Part 1: Common technical requirements".

rnrn

[10] ETSI EN 301 489-4: "Electromagneticrncompatibility and Radio spectrum Matters (ERM) ElectroMagnetic Compatibility (EMC)rnstandard for radio equipment and services; Part 4: Specific conditions forrnfixed radio links and ancillary equipment and services".

rnrn

[11] Directive 1999/5/EC of the EuropeanrnParliament and of the Council of 9 March 1999 on radio equipment and telecommunicationsrnterminal equipment and the mutual recognition of their conformity.

rnrn

[12] ITU-R Recommendation SM.329-7 (1997):rn"Spurious Emissions".

rnrn

[13] ITU-R Recommendation F.1191-1 (1997):rn"Bandwidths and unwanted emissions of digital radio-relay systems".

rnrn

[14] Quyết định số 1197/2000/QĐ-TCBĐ ngày 12rntháng 12 năm 2000 của Tổng cục Bưu điện (nay là Bộ Bưu chính, Viễn thông) vềrnviệc phê duyệt “Qui hoạch kênh tần số vô tuyến điện của Việt Nam cho các nghiệprnvụ cố định và lưu động mặt đất (30-30000 MHz)”.

rnrn

[15] TCN 68-177: 1998 “Hệ thống thông tinrnquang và vi ba SDH – Yêu cầu kỹ thuật”.

rnrn

[16] TCN 68-192: 2003 “Tương thích điện từrntrường (EMC) – Thiết bị thông tin vô tuyến – Yêu cầu kỹ thuật”.

rnrn

[17] ITU-R Recommendation F.746-6:rn"Radio-frequency channel arrangements for fixed service systems".

rnrn

rnrnrnrnrn”

Hiệu lực

Cung cấp thông tin về văn bản gồm ngày ban hành, ngày có hiệu lực, ngày hết hiệu lực, trạng thái hiệu lực của văn bản.

Tiêu chuẩn ngành TCN 68-234:2006 về thiết bị vi ba số SDH điểm – Điểm dải tần tới 25 GHz – Yêu cầu kỹ thuật do Bộ Bưu chính Viễn thông ban hành

Ban hành:

25/07/2006

Áp dụng:

01/01/1970

Hiệu lực:

Còn hiệu lực

Cập nhật:

10/07/2026

Lược đồ văn bản

...

Văn bản đang xem

Tiêu chuẩn ngành TCN 68-234:2006 về thiết bị vi ba số SDH điểm – Điểm dải tần tới 25 GHz – Yêu cầu kỹ thuật do Bộ Bưu chính Viễn thông ban hành

Số hiệu:	TCN68-234:2006
Loại văn bản:	Tiêu chuẩn ngành
Lĩnh vực, ngành:
Nơi ban hành:	Bộ Bưu chính Viễn thông
Người ký:	Đã xác định
Ngày ban hành:	25/07/2006
Ngày hiệu lực:	01/01/1970
Ngày đăng:	10/07/2026
Số công báo:
Tình trạng:	Còn hiệu lực

...

Văn bản Tiếng Việt

Chưa có file đính kèm.

Văn bản liên quan

: Sửa đổi, thay thế, huỷ bỏ
: Bổ sung
: Đính chính
: Hướng dẫn
Click vào phần bôi xanh để xem chi tiết