Tiêu chuẩn ngành TCN 68-255:2006 về trạm gốc điện thoại di động mặt đất công cộng – Phương pháp đo mức phơi nhiễm điện từ do Bộ Bưu chính Viễn thông ban hành

TCN 68 – 255:rn2006

rnrn

TRẠMrnGỐC ĐIỆN THOẠI DI ĐỘNG MẶT ĐẤT CÔNG CỘNG – PHƯƠNG PHÁP ĐO MỨC PHƠI NHIỄM TRƯỜNGrnĐIỆN TỪ

rnrn

Lời nói đầu

rnrn

Tiêu chuẩn Ngành TCN 68 – 255: 2006 “Trạmrngốc điện thoại di động mặt đất công cộng – Phương pháp đo mức phơi nhiễm trườngrnđiện từ” được xây dựng trên cơ sở Tiêu chuẩn EN 50400 và EN 50383 của Ủy banrnTiêu chuẩn hóa về Kỹ thuật điện châu Âu (CENELEC), có tham khảo một số tiêurnchuẩn khác và tài liệu kỹ thuật của các nhà sản xuất thiết bị.

rnrn

Tiêu chuẩn Ngành TCN 68 – 255: 2006 do CụcrnQuản lý chất lượng Bưu chính, Viễn thông và Công nghệ thông tin biên soạn theornđề nghị của Vụ Khoa học – Công nghệ và được ban hành theo Quyết định sốrn54/2006/QĐ-BBCVT ngày 25/12/2006 của Bộ trưởng Bộ Bưu chính, Viễn thông.

rnrn

rnrn

TRẠM GỐC ĐIỆN THOẠIrnDI ĐỘNG MẶT ĐẤT CÔNG CỘNG

rnrn

PHƯƠNG PHÁP ĐO MỨCrnPHƠI NHIỄM TRƯỜNG ĐIỆN TỪ

rnrn

(Ban hành kèm theornQuyết định số 54/2006/QĐ-BBCVT ngày 25/12/2006 của Bộ trưởng Bộ Bưu chính, Viễnrnthông)

rnrn

1. Phạm vi áp dụng

rnrn

Tiêu chuẩn này áp dụng cho các trạm gốc điệnrnthoại di động mặt đất công cộng có ăng ten lắp đặt ngoài trời, hoạt động trongrndải tần số từ 110 MHz đến 3 GHz.

rnrn

Tiêu chuẩn này quy định phương pháp đo mứcrnphơi nhiễm trường điện từ và đánh giá sự tuân thủ của trạm gốc điện thoại dirnđộng mặt đất công cộng với tiêu chuẩn về mức giới hạn phơi nhiễm không do nghềrnnghiệp, khi trạm gốc được đưa vào hoạt động.

rnrn

2. Tài liệu thamrnchiếu chuẩn

rnrn

[1] CENELEC EN 50400 (June 2006) “Basicrnstandard to demonstrate the compliance of fixed equipment for radiorntransmission (110 MHz – 40 GHz) intended for use in wireless telecommunicationrnnetworks with the basic restrictions or the reference levels related to generalrnpublic human exposure to radio frequency electromagnetic fields, when put intornservice”.

rnrn

[2] CENELEC EN 50383 (August 2002) “Basic standardrnfor the calculation and measurement of electromagnetic field strength and SARrnrelated to human exposure from radio base station and fixed terminal stationsrnfor wireless telecommunication systems (110 MHz – 40 GHz)”.

rnrn

[3] TCVN 3718-1:2005 “Quản lý an toànrntrong trường bức xạ tần số rađiô – Phần 1: Mức phơi nhiễm lớn nhất trong dảirntần từ 3 kHz đến 300 GHz”.

rnrn

[4] AS/NZS 2772.1:1998 “Radiofrequencyrnfields – Part 1: Maximum exposure levels – 3 kHz to 300 GHz”.

rnrn

[5] Ericsson EN/LZT 123 7806 “Radio basernstation antenna sites – Radio wave exposure at typical base station antennasrnsites”.

rnrn

[6] Ericsson EN/LZT 123 7367 “Compliancernboundary for UMTS radio base stations”.

rnrn

3. Hằng số, đơn vị,rnđại lượng vật lý

rnrn

3.1. Đại lượng vật lý

rnrn

rn

rn

rn

rn

rn

rn

rn

rn

rn

rn

rn

rn

rn

rn

rn

rn

rn

rn

rn

rn

rn

rn

rn

rn

rn

rn

rn

rn

rnrn

3.2. Hằng số vật lý

rnrn

rn

rn

rn

rn

rn

rn

rn

rn

rn

rn

rn

rn

rnrn

4. Thuật ngữ và địnhrnnghĩa

rnrn

4.1. Ăng ten – A. Antenna

rnrn

Ăng ten là thiết bị thực hiện việc chuyển đổirnnăng lượng giữa sóng được dẫn hướng (ví dụ trong cáp đồng trục) và sóng trongrnmôi trường không gian tự do, hoặc ngược lại. Ăng ten có thể được sử dụng đểrnphát hoặc thu tín hiệu vô tuyến. Trong tiêu chuẩn này, nếu không có quy định cụrnthể, thuật ngữ ăng ten được dùng để chỉ ăng ten phát.

rnrn

4.2. Công suất bức xạ đẳng hướng tương đươngrn– A. Equivalent Isotropic Radiated Power (EIRP)

rnrn

Công suất bức xạ đẳng hướng tương đương đượcrnxác định bởi công thức:

rnrn

P_EIRP = P_trn- L + G

rnrn

Trong đó:

rnrn

– P_EIRP (dBm): công suất bức xạrnđẳng hướng tương đương;

rnrn

– P_t (dBm): tổng công suất của cácrnmáy phát;

rnrn

– L (dB): tổng suy hao từ các máy phát đếnrnăng ten (ví dụ do combiner, phi đơ…);

rnrn

– G (dBi): độ tăng ích cực đại của ăng ten tươngrnứng với ăng ten đẳng hướng.

rnrn

hoặc: P_EIRP = P x 10^(G-L)/10

rnrn

Trong đó:

rnrn

– P_EIRP (W): công suất bức xạ đẳngrnhướng tương đương;

rnrn

– P_t (W): tổng công suất của cácrnmáy phát;

rnrn

– L (dB): tổng suy hao từ các máy phát đếnrnăng ten (ví dụ do combiner, phi đơ…);

rnrn

– G (dBi): độ tăng ích cực đại của ăng tenrntương ứng với ăng ten đẳng hướng.

rnrn

4.3. Cường độ trường điện – A. Electric fieldrnstrength (E)

rnrn

Cường độ trường điện là độ lớn của véc tơrntrường tại một điểm, xác định bằng lực F trên một đơn vị điện tích q chia chornđiện tích đó:

rnrn

rnrn

Cường độ trường điện có đơn vị là V/m.

rnrn

4.4. Cường độ trường từ – A. Magnetic fieldrnstrength (H)

rnrn

Cường độ trường từ là độ lớn của véctơ trườngrntại một điểm gây ra bởi lực tĩnh điện F lên điện tích q chuyển động với vận tốcrnv:

rnrn

F = q(v x mH)

rnrn

Cường độ trường từ có đơn vị là A/m.

rnrn

4.5. Điểm đo – A. Point of Investigation (PI)

rnrn

Điểm đo là vị trí nằm trong vùng đo (DI) nơirnthực hiện đo các giá trị trường điện E, trường từ H hoặc mật độ công suất S.

rnrn

4.6. Điểm tham chiếu – A. Reference Pointrn(RP)

rnrn

Đối với ăng ten dạng tấm (panel antenna) thìrnđiểm tham chiếu là tâm của tấm phản xạ sau (rear reflector). Đối với ăng tenrnđẳng hướng (omni-directional) thì điểm tham chiếu là tâm của ăng ten. Với cácrnloại ăng ten khác cần phải quy định điểm tham chiếu thích hợp.

rnrn

4.7. Đường biên tuân thủ – A. CompliancernBoundary (CB)

rnrn

Đường biên tuân thủ là đường bao xác định mộtrnvùng thể tích mà ngoài vùng đó mức phơi nhiễm tại bất cứ vị trí nào cũng khôngrnvượt quá mức giới hạn phơi nhiễm, không tính đến ảnh hưởng của các nguồn bức xạrnkhác.

rnrn

Vùng tuân thủ là vùng thể tích được bao bởirnđường biên tuân thủ.

rnrn

4.8. Mật độ công suất – A. Power density (S)

rnrn

Mật độ công suất là công suất bức xạ tớirnvuông góc với một bề mặt, chia cho diện tích bề mặt đó. Mật độ công suất có đơnrnvị là W/m².

rnrn

4.9. Mật độ công suất sóng phẳng tương đươngrn– A. Equivalent plane wave power density

rnrn

Mật độ công suất sóng phẳng tương đương làrncông suất trên một đơn vị diện tích được chuẩn hóa theo phương lan truyền củarnsóng phẳng trong không gian tự do được biểu diễn bởi:

rnrn

rnrn

4.10. Máy phát – A. Transmitter

rnrn

Máy phát là thiết bị phát ra công suất điệnrntần số vô tuyến và được nối với ăng ten cho mục đích truyền thông tin.

rnrn

4.11. Mức giới hạn phơi nhiễm – A. exposurernlevel

rnrn

Mức giới hạn phơi nhiễm được dùng để so sánhrnvới các giá trị phơi nhiễm. Trong dải tần số từ 30 MHz đến 3 GHz, các mức giới hạnrnphơi nhiễm có thể là giá trị cường độ trường điện, cường độ trường từ hoặc mậtrnđộ công suất.

rnrn

4.12. Mức hấp thụ riêng – A. SpecificrnAbsorption Rate (SAR)

rnrn

Mức hấp thụ riêng là mức theo thời gian màrnnăng lượng RF truyền vào một đơn vị khối lượng sinh học, biểu thị bằng Oát trênrnkilôgam (W/kg).

rnrn

4.13. Nguồn liên quan – A. Relevant Sourcern(RS)

rnrn

Nguồn liên quan là nguồn bức xạ vô tuyếnrntrong dải tần số từ 30 MHz đến 3 GHz có Tỷ lệ phơi nhiễm lớn hơn 0,05 tại mộtrnđiểm đo (PI) xác định.

rnrn

4.14. Phơi nhiễm – A. Exposure

rnrn

Phơi nhiễm là hiện tượng xuất hiện khi conrnngười bị đặt trong trường RF hoặc dòng điện tiếp xúc.

rnrn

4.15. Phơi nhiễm không do nghề nghiệp – A.rnNon-occupational exposure

rnrn

Phơi nhiễm không do nghề nghiệp là phơi nhiễmrncủa con người, không phải do trong khi làm việc hoặc do công việc.

rnrn

4.16. Thiết bị cần đo kiểm – A. EquipmentrnUnder Test (EUT)

rnrn

Thiết bị cần đo kiểm (EUT) là trạm gốc cầnrnphải đo theo phương pháp quy định trong tiêu chuẩn này.

rnrn

4.17. Tính đẳng hướng – A. Isotropy

rnrn

Tính đẳng hướng là đặc tính vật lý không thayrnđổi trong mọi hướng.

rnrn

4.18. Trạm gốc – A. Base Station (BS)

rnrn

Trạm gốc là thiết bị cố định sử dụng đểrntruyền sóng vô tuyến được sử dụng trong mạng di động mặt đất công cộng. Trongrnphạm vi của tiêu chuẩn này, thuật ngữ trạm gốc bao gồm các máy phát vô tuyến vàrnăng ten đi kèm.

rnrn

4.19. Trở kháng không gian tự do – A.rnintrinsic impedance of free space

rnrn

Trở kháng đặc tính là tỉ số giữa cường độrntrường điện với cường độ trường từ của sóng điện từ lan truyền trong khôngrngian. Trở kháng đặc tính của sóng phẳng trong không gian tự do (trở kháng khôngrngian tự do) xấp xỉ bằng 377Wrn(hay120 pW).

rnrn

4.20. Tỷ lệ phơi nhiễm – A. Exposure Ratiorn(ER)

rnrn

Tỷ lệ phơi nhiễm là thông số được đánh giárntại một vị trí xác định cho mỗi tần số hoạt động của nguồn phát vô tuyến, đượcrnbiểu diễn bằng tỉ số giữa mật độ công suất sóng phẳng tương đương so với mứcrngiới hạn phơi nhiễm tương ứng.

rnrn

Trong dải tần số từ 30 MHz đến 3 GHz:

rnrn

rnrn

Trong đó:

rnrn

– ER: Tỷ lệ phơi nhiễm tại mỗi tần số hoạtrnđộng của nguồn;

rnrn

– f: tần số hoạt động của nguồn;

rnrn

– S: mật độ công suất sóng phẳng tương đươngrnđo được tại tần số f của nguồn;

rnrn

– S_L: mức giới hạn phơi nhiễm dẫnrnxuất dưới dạng mật độ công suất sóng phẳng tương đương tại tần số f ;

rnrn

– E: cường độ trường điện đo được tại tần sốrnf của nguồn;

rnrn

– E_L: mức giới hạn phơi nhiễm dẫnrnxuất dưới dạng cường độ trường điện tại tần số f.

rnrn

4.21. Tỷ lệ phơi nhiễm tổng cộng – A. TotalrnExposure Ratio (TER)

rnrn

Tỷ lệ phơi nhiễm tổng cộng là giá trị lớnrnnhất của tổng các giá trị phơi nhiễm của EUT và tất cả các nguồn liên quanrntrong dải tần số từ 30 MHz đến 3 GHz:

rnrn

TER = ER_EUTrn+ ER_RS

rnrn

Trong đó:

rnrn

– ER_EUT: Tỷ lệ phơi nhiễm của EUT;

rnrn

– ER_RS: Tỷ lệ phơi nhiễm của tấtrncả các nguồn liên quan.

rnrn

4.22. Vùng đo – A. Domain of Investigationrn(DI)

rnrn

Vùng đo là phân vùng của vùng liên quan nơirnngười dân có thể tiếp cận khi trạm gốc đã được đưa vào hoạt động.

rnrn

4.23. Vùng liên quan – A. Relevant Domainrn(RD)

rnrn

Vùng liên quan là vùng xung quanh ăng ten,rntrong đó Tỷ lệ phơi nhiễm do ăng ten đó gây nên lớn hơn 0,05.

rnrn

4.24. Vùng thâm nhập – A. Public Access (PA)

rnrn

Vùng thâm nhập là nơi có thể diễn ra các hoạtrnđộng đi lại, sinh hoạt trong điều kiện bình thường của người dân.

rnrn

5. Phương pháp xácrnđịnh Tỷ lệ phơi nhiễm tổng cộng

rnrn

Mục này quy định phương pháp xác định Tỷ lệrnphơi nhiễm tổng cộng (TER) trong các khu vực liên quan nơi người dân córnthể tiếp cận.

rnrn

5.1. Mô tả phương pháp

rnrn

Tỷ lệ phơi nhiễm tổng cộng (TER) được xácrnđịnh theo lưu đồ hình 1.

rnrn

rnrn

Hình 1: Lưu đồ đánhrngiá Tỷ lệ phơi nhiễm tổng cộng

rnrn

Chu trình minh họa trong hình 1 được thựcrnhiện theo 3 bước như sau nhằm xác định Tỷ lệ phơi nhiễm tổng cộng:

rnrn

– Bước 1: Xác định vùng tuân thủ của trạm gốcrntheo mục 6.1. Nếu người dân có thể tiếp cận không gian trong đường biên tuânrnthủ (vùng tuân thủ) thì Tỷ lệ phơi nhiễm tổng cộng sẽ lớn hơn 1.

rnrn

– Bước 2: Xác định vùng liên quan và vùng đorntheo mục 6.3 và 6.4. Nếu người dân không có khả năng tiếp cận vào vùng liênrnquan, nghĩa là không tồn tại vùng đo, thì Tỷ lệ phơi nhiễm tổng cộng sẽ nhỏ hơnrnhoặc bằng 1.

rnrn

– Bước 3: Xác định Tỷ lệ phơi nhiễm tổng cộngrntrong vùng đo theo mục 5.2.

rnrn

5.2. Đánh giá toàn diện Tỷ lệ phơi nhiễm tổngrncộng

rnrn

Việc đánh giá toàn diện Tỷ lệ phơi nhiễm tổngrncộng nhằm xác định Tỷ lệ phơi nhiễm tổng cộng lớn nhất trong các khu vực liênrnquan nơi mà người dân có thể tiếp cận (nghĩa là vùng đo).

rnrn

Nếu nhà khai thác thiết lập ranh giới của khurnvực cấm (restricted area) nhằm ngăn sự tiếp cận của người dân tới khu vực xungrnquanh EUT và/hoặc các nguồn liên quan thì việc đánh giá phải được thực hiện tạirncác điểm đo (PI) nằm sát với các ranh giới này (xem hình 2).

rnrn

rnrn

Hình 2: Ranh giới vậtrnlý của khu vực cấm nằm trong vùng đo

rnrn

Tỷ lệ phơi nhiễm tổng cộng được xác định tạirncác điểm đo (PI, xem mục 4.5) bằng phương pháp mô tả trong mục 7 và mục 8. Bướcrnlấy mẫu (khoảng cách giữa các điểm đo) tối đa là 2 m. Tập hợp các điểm đo phảirntạo thành lưới với mắt lưới là hình vuông có kích thước tối đa là 2 m x 2 m.

rnrn

Tại mỗi điểm đo, Tỷ lệ phơi nhiễm tổng cộngrnđược xác định là giá trị lớn nhất của các giá trị Tỷ lệ phơi nhiễm tổng cộng đornđược tại các vị trí đo có độ cao so với mặt sàn nơi người dân tiếp cận (publicrnwalkway) là 110 cm, 150 cm và 170 cm và nằm trong vùng đo (DI) như minh họarntrong hình 3.

rnrn

rnrn

Hình 3: Ba vị trí đorntại từng điểm đo

rnrn

6. Phương pháp xácrnđịnh các vùng

rnrn

6.1. Vùng tuân thủ

rnrn

rnrn

Hình 4: Vùng tuân thủrncủa ăng ten định hướng

rnrn

Vùng tuân thủ của một ăng ten định hướngrn(directional) là một hình trụ tròn (đường kính là D) và chiều cao bằng độ dàirnmặt bức xạ ăng ten cộng thêm 20 cm, mở rộng 10 cm về hai phía trên và dưới củarnăng ten (H = h + 0,2 m), hình trụ này được bắt đầu từ sau ăng ten 10 cm và córntrục song song với trục của ăng ten (xem chi tiết tại hình 4).

rnrn

Công thức xác định đường kính của vùng tuânrnthủ của ăng ten định hướng (xem Phụ lục A):

rnrn

 (m)

rnrn

Trong đó:

rnrn

– D (m): Đường kính của hình trụ (đường kínhrncủa vùng tuân thủ);

rnrn

– P_EIRP (W): Công suất bức xạ đẳngrnhướng tương đương của ăng ten (xem mục 4.2);

rnrn

– S_L (W/m²): Mức giớirnhạn phơi nhiễm không do nghề nghiệp (dẫn xuất dưới dạng mật độ công suất sóngrnphẳng tương đương). S_L là mức giới hạn phơi nhiễm nhỏ nhất trong cácrnmức giới hạn phơi nhiễm tại các tần số phát khác nhau của ăng ten (nếu có).

rnrn

rnrn

Hình  5: Vùng tuânrnthủ của ăng ten đẳng hướng

rnrn

Vùng tuân thủ của một ăng ten đẳng hướng (omni-directional)rnlà một hình trụ tròn (đường kính là D) và chiều cao bằng độ dài mặt bức xạ ăngrnten cộng thêm 20 cm, mở rộng 10 cm về hai phía trên và dưới của ăng ten (H = hrn+ 0,2 m), hình trụ này có trục trùng với trục của ăng ten (xem chi tiết tạirnhình 5).

rnrn

Công thức xác định đường kính của vùng tuânrnthủ của ăng ten đẳng hướng (xem Phụ lục A):

rnrn

(m)

rnrn

Trong đó:

rnrn

– D (m): Đường kính của hình trụ (đường kínhrncủa vùng tuân thủ);

rnrn

– P_EIRP (W): Công suất bức xạ đẳngrnhướng tương đương của ăng ten (xem mục 4.2);

rnrn

– S_L (W/m²): Mức giớirnhạn phơi nhiễm không do nghề nghiệp (dẫn xuất dưới dạng mật độ công suất sóngrnphẳng tương đương). S_L là mức giới hạn phơi nhiễm nhỏ nhất trong cácrnmức giới hạn phơi nhiễm tại các tần số phát khác nhau của ăng ten (nếu có).

rnrn

Nếu trạm gốc bao gồm nhiều ăng ten phát thìrnvùng tuân thủ của trạm gốc là tập hợp các vùng tuân thủ của các ăng ten thànhrnphần (xem minh họa tại mục A.2 của Phụ lục A).

rnrn

6.2. Vùng thâm nhập

rnrn

Vùng thâm nhập được xác định bởi một (hoặcrnnhiều) không gian có đáy là mặt sàn nơi người dân tiếp cận và chiều cao là 170rncm (xem minh họa tại hình 6).

rnrn

rnrn

Hình 6: Minh họa vùngrnthâm nhập

rnrn

6.3. Vùng liên quan

rnrn

rnrn

Hình 7: Vùng liênrnquan của ăng ten định hướng

rnrn

Đường biên của vùng liên quan của một ăng tenrnđược xác định bằng cách nhân 5 lần khoảng cách tính từ điểm tham chiếu (RP) củarnăng ten đến đường biên của vùng tuân thủ (đường biên tuân thủ – CB) của ăng tenrnđó theo một hướng xác định (xem chi tiết tại hình 7, hình 8 và Phụ lục B).

rnrn

Nếu trạm gốc bao gồm nhiều ăng ten phát thìrnvùng liên quan của trạm gốc là tập hợp các vùng liên quan của các ăng ten thànhrnphần.

rnrn

rnrn

Hình 8: Vùng liênrnquan của ăng ten đẳng hướng

rnrn

6.4. Vùng đo

rnrn

Vùng đo là vùng con của vùng liên quan nơirnngười dân có thể tiếp cận, là phần giao nhau giữa vùng liên quan và vùng thâmrnnhập của trạm gốc (xem minh họa tại hình 9).

rnrn

rnrn

Hình 9: Minh họa vùngrnđo

rnrn

7. Phương pháp đo

rnrn

7.1. Yêu cầu chung

rnrn

Có thể sử dụng các thiết bị đo băng thôngrnrộng (broadband) hoặc thiết bị đo chọn tần (frequency selective) bao gồm mộtrnhoặc nhiều đầu đo (probe) trường điện E hoặc trường từ H để xác định Tỷ lệ phơirnnhiễm ER^đo.

rnrn

Trong trường hợp sử dụng đầu đo không đẳngrnhướng (non-isotropic), phép đo phải được thực hiện theo các hướng đo khác nhaurnnhằm đảm bảo tính đẳng hướng. Ví dụ với trường hợp sử dụng ăng ten lưỡng cựcrn(dipole), các phép đo phải được thực hiện theo 3 hướng trực giao trong khôngrngian.

rnrn

Trong trường hợp sử dụng đầu đo đẳng hướng,rnchỉ cần thực hiện 1 phép đo duy nhất.

rnrn

Độ lệch đẳng hướng (isotropy deviation) củarnđầu đo trong cả hai trường hợp trên đều phải nhỏ hơn 2 dB tại các tần số lớnrnhơn 30 MHz.

rnrn

Đối với thiết bị đo chọn tần thì mức cường độrntrường điện nhỏ nhất đo được phải nhỏ hơn hoặc bằng 0,05 V/m và mức lớn nhất đornđược phải lớn hơn hoặc bằng 100 V/m.

rnrn

Đối với thiết bị đo băng thông rộng thì mứcrncường độ trường điện nhỏ nhất đo được phải nhỏ hơn hoặc bằng 1 V/m và mức lớnrnnhất đo được phải lớn hơn hoặc bằng 100 V/m.

rnrn

7.2. Phép đo Tỷ lệ phơi nhiễm

rnrn

7.2.1. Các yêu cầu cơ bản

rnrn

Tùy thuộc vào điều kiện cụ thể của phép đornthì có thể sử dụng thiết bị đo băng thông rộng hoặc chọn tần. Thông thường cácrnphép đo chọn tần cho kết quả đo Tỷ lệ phơi nhiễm chính xác hơn. Kết quả đánhrngiá Tỷ lệ phơi nhiễm sử dụng thiết bị đo băng thông rộng theo mục 7.2.2 sẽ vượtrnquá giá trị thực tế (overestimate).

rnrn

Khoảng cách giữa đầu đo và người thực hiện đornhoặc các vật phản xạ tối thiểu phải là 1 m.

rnrn

7.2.2. Điều kiện để áp dụng phép đo băngrnthông rộng

rnrn

a) Một nguồn bức xạ vô tuyến trộirn(predominant)

rnrn

Thiết bị đo băng thông rộng có thể được sửrndụng để xác định Tỷ lệ phơi nhiễm và Tỷ lệ phơi nhiễm tổng cộng trong trườngrnhợp có một nguồn bức xạ vô tuyến trội. Một nguồn vô tuyến được coi là trội nếurncó thể chứng minh rằng tổng công suất của các nguồn bức xạ khác nhỏ hơn 13 dBrnso với công suất nguồn đó (có thể sử dụng phương pháp đo phổ – spectrumrnmeasurement).

rnrn

b) Đánh giá quá mức mức phơi nhiễm

rnrn

Nếu giá trị đo được thấp hơn 13 dB so với mứcrngiới hạn phơi nhiễm thấp nhất được áp dụng thì giá trị ER^đo sẽ nhỏrnhơn 1 kể cả khi tính đến sự thay đổi về lưu lượng và điều khiển công suất trongrntrạm gốc.

rnrn

7.2.3. Điều kiện để áp dụng phép đo chọn tần

rnrn

Cường độ trường đo được liên quan đến mộtrnnguồn bức xạ vô tuyến phải bao hàm tổng công suất của tín hiệu. Do vậy băngrnthông phân giải (Resolution Bandwidth – RBW) của thiết bị đo phải rộng hơn băngrnthông chiếm dụng (Occupied Bandwidth – OBW) của tín hiệu.

rnrn

Trong trường hợp tín hiệu có phổ tần số rộngrnhơn băng thông phân giải thì áp dụng phương pháp cộng tích lũy tổng công suất,rncó tính đến hình dạng của bộ lọc băng thông phân giải (thường được gọi là chếrnđộ đo công suất kênh – Channel Power mode).

rnrn

Đối với tín hiệu có hệ số gợn sóng (crestrnfactor) lớn thì không nên sử dụng bộ tách sóng đỉnh (peak detector) vì có thểrngây ra sự sai lệch lớn.

rnrn

7.3. Xác định tổng các giá trị Tỷ lệ phơirnnhiễm

rnrn

Nếu sử dụng phương pháp băng thông rộng để đornTỷ lệ phơi nhiễm (mục 7.2.2) sẽ thu được trực tiếp giá trị ER^đo.

rnrn

Trong trường hợp có N nguồn bức xạ đơn tần,rnTỷ lệ phơi nhiễm của mỗi nguồn đo được theo phương pháp chọn tần (mục 7.2.3) làrnER_i thì giá trị ER^đo sẽ là:

rnrn

rnrn

Theo quy định tại mục 5, tại mỗi điểm đo giárntrị ER^đo được xác định tại 3 vị trí và lấy giá trị lớn nhất.

rnrn

8. Đánh giá tỷ lệrnphơi nhiễm tổng cộng

rnrn

Tỷ lệ phơi nhiễm tổng cộng (TER) tại điểm đorn(PI) là tổng của M giá trị ER^đo đo được trong toàn bộ dải tần số từrn30 MHz đến 3 GHz:

rnrn

rnrn

Nếu Tỷ lệ phơi nhiễm tổng cộng nhỏ hơn hoặcrnbằng một (TER £ 1) thì trạm gốc tuânrnthủ tiêu chuẩn về mức giới hạn phơi nhiễm không do nghề nghiệp.

rnrn

Nếu Tỷ lệ phơi nhiễm tổng cộng lớn hơn mộtrn(TER > 1) thì trạm gốc không tuân thủ tiêu chuẩn về mức giới hạn phơi nhiễmrnkhông do nghề nghiệp.

rnrn

rnrn

PHỤrnLỤC A

rnrn

(Tham khảo)

rnrn

XÁCrnĐỊNH VÙNG TUÂN THỦ

rnrn

A.1. Xác định đường kính của vùng tuân thủ

rnrn

Hình 10a và 10b biểurndiễn mặt cắt ngang (vuông góc với trục ăng ten) của vùng tuân thủ của ăng tenrnđịnh hướng và ăng ten đẳng hướng qua điểm tham chiếu của ăng ten (xem mục 4.6).

rnrn

rnrn

Hình 10: Mặt cắtrnngang của vùng tuân thủ qua điểm tham chiếu

rnrn

Trên mặt cắt ngang gọi điểm F là điểm xa nhấtrnso với điểm tham chiếu (RP) theo hướng búp sóng chính của ăng ten định hướng (xemrnhình 10a).

rnrn

Áp dụng mô hình truyền sóng trong không gianrntự do, với giả thiết tại điểm F trên đường biên tuân thủ có đặc tính bức xạrntrường xa, mật độ công suất tại điểm F sẽ là:

rnrn

(W/m²)

rnrn

Trong đó:

rnrn

– P_EIRP (W): Công suất bức xạ đẳngrnhướng tương đương của ăng ten;

rnrn

– d (m): Khoảng cách từ điểm tham chiếu (RP)rnđến điểm F;

rnrn

– S_F (W/m²): Mật độrncông suất tại điểm F

rnrn

Theo định nghĩa đường biên tuân thủ thì mậtrnđộ công suất tại điểm F bằng mức giới hạn phơi nhiễm dẫn xuất dưới dạng mật độrncông suất, S_F = SL. Vì vậy:

rnrn

(m)

rnrn

Đường kính của vùng tuân thủ là D = d + 0,1rn(m)

rnrn

Như vậy:

rnrn

(m)

rnrn

Chọn điểm A là điểm bất kỳ nằm trên đườngrnbiên tuân thủ của ăng ten đẳng hướng (xem hình 10b).

rnrn

Áp dụng mô hình truyền sóng trong không gianrntự do, với giả thiết tại điểm bất kỳ trên đường biên tuân thủ của ăng ten đẳngrnhướng có đặc tính bức xạ trường xa, mật độ công suất tại điểm A sẽ là:

rnrn

(W/m²)

rnrn

trong đó:

rnrn

– P_EIRP (W): Công suất bức xạ đẳngrnhướng tương đương của ăng ten;

rnrn

– R (m): Khoảng cách từ điểm tham chiếu (RP)rnđến điểm A (chính bằng bán kính của vùng tuân thủ);

rnrn

– SA (W/m²): Mật độ công suất tạirnđiểm A.

rnrn

Theo định nghĩa đường biên tuân thủ thì mậtrnđộ công suất tại điểm A bằng mức giới hạn phơi nhiễm dẫn xuất dưới dạng mật độrncông suất, S _A = S _L . Vì vậy:

rnrn

(m)

rnrn

Đường kính của vùng tuân thủ là D = 2Rrn(m)

rnrn

Như vậy:

rnrn

(m)

rnrn

A.2. Hình vẽ minh họa vùng tuân thủ

rnrn

Hình 11 minh họa vùng tuân thủ của một trạmrngốc điện thoại di động mặt đất công cộng bao gồm các ăng ten định hướngrn(directional).

rnrn

A3. Ví dụ tính toán kích thước vùng tuân thủ

rnrn

Mục này nêu một ví dụ tính toán kích thướcrnvùng tuân thủ cho một ăng ten định hướng. Giả thiết một ăng ten trạm gốc loạirnđịnh hướng có các thông số sau :

rnrn

– Tổng công suất phát của các máy phát P_trn= 144 W (tương đương 51,6 dBm);

rnrn

– Tổng suy hao từ các máy phát đến ăng ten Lrn= 6 dB;

rnrn

– Độ tăng ích của ăng ten theo hướng búp sóngrnchính G = 17,5 dBi;

rnrn

rnrn

Hình 11: Minh họarnvùng tuân thủ của một trạm gốc

rnrn

– Mức giới hạn phơi nhiễm không do nghềrnnghiệp (dẫn xuất dưới dạng mật độ công suất sóng phẳng tương đương) tại tần sốrnphát của ăng ten S_L = 2 W/m²;

rnrn

– Độ dài mặt bức xạ của ăng ten h = 0,8 m.

rnrn

Vùng tuân thủ của ăng ten này có dạng hìnhrntrụ như hình 4.

rnrn

Công suất bức xạ đẳng hướng tương đương:

rnrn

P_EIRP = P_trn- L + G

rnrn

Như vậy P_EIRP = 63,1 dBm (tươngrnđương 2034 W)

rnrn

Đường kính của vùng tuân thủ:

rnrn

m

rnrn

Chiều cao của vùng tuân thủ: H = h + 0,2 = 1rnm

rnrn

rnrn

PHỤrnLỤC B

rnrn

(Tham khảo)

rnrn

XÁCrnĐỊNH ĐƯỜNG BIÊN CỦA VÙNG LIÊN QUAN

rnrn

Phụ lục này diễn giải cách xác định đườngrnbiên của vùng liên quan bằng cách nhân 5 lần khoảng cách giữa điểm tham chiếurncủa ăng ten và đường biên tuân thủ theo một hướng xác định.

rnrn

Khi xác định đường biên của vùng liên quanrndựa trên đường biên tuân thủ áp dụng các giả thiết sau:

rnrn

a) Tại điểm bất kì trong trường xa của trườngrnbức xạ, cường độ trường điện tỷ lệ nghịch với khoảng cách từ điểm đó đến ăngrnten bức xạ;

rnrn

b) Tại mỗi tần số, Tỷ lệ phơi nhiễm tỷ lệ vớirnbình phương cường độ trường điện.

rnrn

rnrn

Hình 12: Xác địnhrnbiên vùng liên quan

rnrn

Xét tại điểm PCB cách ăng ten khoảng cách làrnd, giá trị cường độ trường điện đo được là E_d. Nếu E_d = E_Lrn(là giá trị mức giới hạn phơi nhiễm dẫn xuất dưới dạng cường độ trường điện)rnthì theo định nghĩa đường biên tuân thủ (mục 4.7), điểm PCB sẽ thuộc vào đườngrnbiên tuân thủ và Tỷ lệ phơi nhiễm tại điểm này sẽ bằng 1 vì:

rnrn

rnrn

Tại điểm P_RD cách ăng ten khoảngrncách 5d, cường độ trường điện tương ứng sẽ là E_d/5 và Tỷ lệ phơirnnhiễm tương ứng là:

rnrn

rnrn

Tỷ lệ này (4%) nhỏ hơn so với quy định vềrngiới hạn của vùng liên quan (mục 4.23) là 5% và do đó tại vị trí này, ăng tenrnbức xạ đang xét không còn được coi là nguồn liên quan. Tập hợp các điểm PRD sẽrntạo thành biên của vùng liên quan.

rnrn

rnrn

MỤCrnLỤC

rnrn

Lời nói đầu

rnrn

1. Phạm vi áp dụng

rnrn

2. Tài liệu tham chiếu chuẩn

rnrn

3. Hằng số, đơn vị, đại lượng vật lý

rnrn

3.1. Đại lượng vật lý

rnrn

3.2. Hằng số vật lý

rnrn

4. Thuật ngữ và định nghĩa

rnrn

4.1. Ăng ten

rnrn

4.2. Công suất bức xạ đẳng hướng tương đươngrn(EIRP)

rnrn

4.3. Cường độ trường điện (E)

rnrn

4.4. Cường độ trường từ (H)

rnrn

4.5. Điểm đo (PI)

rnrn

4.6. Điểm tham chiếu (RP)

rnrn

4.7. Đường biên tuân thủ (CB)

rnrn

4.8. Mật độ công suất (S)

rnrn

4.9. Mật độ công suất sóng phẳng tương đương

rnrn

4.10. Máy phát

rnrn

4.11. Mức giới hạn phơi nhiễm

rnrn

4.12. Mức hấp thụ riêng (SAR)

rnrn

4.13. Nguồn liên quan (RS)

rnrn

4.14. Phơi nhiễm

rnrn

4.15. Phơi nhiễm không do nghề nghiệp

rnrn

4.16. Thiết bị cần đo kiểm (EUT)

rnrn

4.17. Tính đẳng hướng

rnrn

4.18. Trạm gốc (BS)

rnrn

4.19. Trở kháng không gian tự do

rnrn

4.20. Tỷ lệ phơi nhiễm (ER)

rnrn

4.21. Tỷ lệ phơi nhiễm tổng cộng (TER)

rnrn

4.22. Vùng đo (DI)

rnrn

4.23. Vùng liên quan (RD)

rnrn

4.24. Vùng thâm nhập (PA)

rnrn

5. Phương pháp xác định Tỷ lệ phơi nhiễm tổngrncộng

rnrn

5.1. Mô tả phương pháp

rnrn

5.2. Đánh giá toàn diện Tỷ lệ phơi nhiễm tổngrncộng

rnrn

6. Phương pháp xác định các vùng

rnrn

6.1. Vùng tuân thủ

rnrn

6.2. Vùng thâm nhập

rnrn

6.3. Vùng liên quan

rnrn

6.4. Vùng đo

rnrn

7. Phương pháp đo

rnrn

7.1. Yêu cầu chung

rnrn

7.2. Phép đo Tỷ lệ phơi nhiễm

rnrn

7.3. Xác định tổng các giá trị Tỷ lệ phơirnnhiễm

rnrn

8. Đánh giá Tỷ lệ phơi nhiễm tổng cộng

rnrn

Phụ lục A (Tham khảo) Xác định vùng tuân thủ

rnrn

Phụ lục B (Tham khảo) Xác định đường biênrncủa vùng liên quan

rnrn